[发明专利]基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于照明与显示技术的长余辉荧光粉，特别是一种可被阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉及其制备方法。

背景技术

目前，可被阴极射线激发的长余辉荧光粉大多数以橙红色为主，而能够产生绿色余辉的该类荧光粉比较少，且抗高温辐照特性较差。不能满足该技术领域的需求。

发明内容

本发明的目的是为了提出一种基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉及其制备方法，该蓝绿色长余辉荧光粉具有较高的抗高温辐照性质，适用于照明与显示技术，特别军事雷达示波器的显示屏上。

本发明基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉，是化学式为(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄-ySi₃N₄-zBaCO₃的以稀土二价铕离子激活的氮氧化物，式中，0.001≤x≤0.05；0.01≤y≤2；0.01≤z≤10。

其式中x、y、z值为x＝0.01，y＝1，z＝4时，该材料性能最佳。当被阴极射线管激发而撤掉激发光源后具有最强的初始衰减强度和最长的衰减时间，其余辉的发射位置为505nm。

本发明基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉的制备方法，包括以下步骤：

a.按权利要求1所述化学式中(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄的各元素的摩尔比称取碳酸钡、二氧化硅、氧化铕，研磨混匀后，放入到管式炉中，在还原气氛下培烧，培烧温度为1200℃-1300℃，培烧时间为3-4小时，培烧后自然冷却获得中间化合物硅酸钡(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄；

b.再按权利要求1所述化学式(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄-ySi₃N₄-zBaCO₃中(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄、Si₃N₄和BaCO₃的摩尔比称取步骤a所获得的硅酸钡和碳酸钡、氮化硅，研磨混匀后，放入到管式炉中，在还原气氛下培烧，培烧温度为1300℃-1500℃，培烧时间为3-4小时，自然冷却，取出研碎即得体色为绿色的在阴极射线管激发下发射蓝绿色的长余辉荧光粉。

本发明涉及的长余辉荧光粉为发射峰为490nm～505nm的蓝绿色荧光粉，该种荧光粉可有效的满足目前基于阴极射线管激发的蓝绿色荧光粉的市场需求，且本发明长余辉荧光粉具有较好的抗高温辐照性能。

附图说明

图1是实施例6所制备的长余辉荧光粉的余辉发射光谱图；

图2是实施例6所制备的长余辉荧光粉的余辉衰减曲线图。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明内容作进一步详细描述。

本发明基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉，是化学式为(Ba_1-xEu_x)₂SiO₄-ySi₃N₄-zBaCO₃的以稀土二价铕离子激活的氮氧化物，式中，0.001≤x≤0.05；0.01≤y≤2；0.01≤z≤10。

以下是对不同x、y、z值情况下的材料制备。

实施例1

x＝0.001，y＝0.01，z＝0.01时，