[发明专利]溴化汞单晶的生长方法有效
| 申请号： | 200810048309.2 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101328608A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;秦金贵;张刚;蒋世超;朱天翔;仲星彦;吴以成;陈创天 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/06;G02B1/02;G02F1/355 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溴化汞单晶 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.溴化汞单晶的生长方法，其特征在于：溴化汞溶于碳原子数为1-4的醇中，醇的用量为配制溴化汞饱和溶液所需量的140～160％，过滤，将滤液在25-35℃间自动挥发，控制挥发速度每天蒸发量为醇初始体积的5～10％，7～15天后得溴化汞单晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：碳原子为1-4的醇为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇或叔丁醇。
3.溴化汞单晶的生长方法，其特征在于：溴化汞溶于碳原子数为1-4的醇中，醇的用量为配制溴化汞饱和溶液所需量的140～160％，过滤，将滤液在25-35℃间自动挥发，控制挥发速度每天蒸发量为醇初始体积的15～20％，3～5天后得作为籽晶溴化汞小单晶；配制35～45℃的溴化汞的碳原子数为1-4醇的饱和溶液，并向其中加入醇溶液体积的0.5～1％的乙酸；然后至于46～50℃的水浴中搅拌恒温20～30分钟；趁热抽滤该溶液，然后将滤液转移至育晶设备，在47～48℃之间恒温两天，然后降温，同时测定平衡点；到达平衡点之后，将温度提高到平衡点温度以上0.2～0.5℃，随后6～24个小时之内降至平衡点，然后0.05℃/天的速度降温20天，之后改为0.10℃/天继续降温，60～80天后得到溴化汞单晶。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：碳原子为1-4的醇为乙醇、丙醇或异丙醇。
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