[发明专利]一种低功耗双电容驰张型CMOS振荡器

权利要求书

1、一种低功耗双电容驰张型CMOS振荡器，包括双电容电路(1)和RS触发器；其特征在于：它还包括比较电路(3)，比较电路(3)由比较器和D触发器构成，双电容电路(1)的二个输出端分别接比较器的二个同相输入端IN_P1、IN_P2，比较器的反相输入端IN_N接参考电压V_ref，比较器的输出端C_out接D触发器的触发沿，D触发器的二个输出端Q₁、Q₁~分别接RS触发器的二个输入端R、S，RS触发器的二个输出端Q₂、Q₂~分别接双电容电路(1)的二个输入端，D触发器的其中一个输出端Q₁~作为总输出端V_out。

2、根据权利要求1所述的低功耗双电容驰张型CMOS振荡器，其特征在于：所述比较器包括偏置电路(4)、NMOS管MN₇、MN₈、MN₉、MN₁₀和MN₁₂，以及PMOS管MP₇、MP₈和MP₁₀；

偏置电路4包括NMOS管MN₁₁和PMOS管MP₁₁；NMOS管MN₁₁的栅极、漏极与PMOS管MP₁₁的漏极共连，源极接地；PMOS管MP₁₁的栅极接比较器的输入偏置电压V_B，源极接电源电压V_DD，漏极接NMOS管MN_11的漏极；

NMOS管MN₇、MN₈和MN₉的栅极分别作为比较器的反相输入端IN_N、同相输入端IN_P1和IN_P2；它们的源极共连，接在NMOS管MN₁₂的漏极；NMOS管MN₇的漏极接PMOS管MP₇的漏极，NMOS管MN₈和MN₉的漏极共连，接在PMOS管MP₈的漏极；PMOS管MP₇和MP₈的栅极与PMOS管MP₇的漏极共连，接在NMOS管MN₇的漏极；它们的源极共连，接在电源电压V_DD上；PMOS管MP₈的漏极接NMOS管MN₈和MN₉的漏极；PMOS管MP₁₀的栅极接PMOS管MP₈的漏极，源极接电源电压V_DD，漏极作为比较器的输出端C_out；NMOS管MN₁₂和MN₁₀的栅极共连，接NMOS管MN₁₁的栅极；它们的源极也共连后接地；NMOS管MN₁₂的漏极接NMOS管MN₇的源极，NMOS管MN₁₀的漏极接比较器的输出端C_out。

3、根据权利要求1所述的低功耗双电容驰张型CMOS振荡器，其特征在于：比较器电路包括偏置电路₅、NMOS管MN₂₀、MN₂₁、MN₂₂、MN₂₃、MN₂₄和MN₂₆，以及PMOS管MP₂₁、MP₂₂、MP₂₃和MP₂₄；偏置电路(5)包括PMOS管MP₂₅和NMOS管MN₂₅；PMOS管MP₂₅的源极接电源电压V_DD，栅极接比较器的输入偏置电压V_B，漏极接NMOS管MN₂₅的漏极；NMOS管MN₂₅的源极接地，栅极、漏极和PMOS管MP₂₅的漏极共连；NMOS管MN₂₁、MN₂₂和MN₂₀的栅极分别作为比较器的反相输入端IN_N、同相输入端IN_P1和IN_P2；它们的源极共连，接NMOS管MN₂₆的漏极；NMOS管MN₂₁的漏极接PMOS管MP₂₁的漏极，NMOS管MN₂₂和MN₂₀的漏极共连，接PMOS管MP₂₂的漏极；NMOS管MN₂₆的栅极接NMOS管MN₂₅的栅极，源极接地，漏极接NMOS管MN₂₁的源极；NMOS管MN₂₃和MN₂₄的源极共连，接地；栅极与NMOS管MN₂₃的漏极共连，接PMOS管MP₂₃的漏极；NMOS管MN₂₄的漏极作为比较器的输出端C_out；PMOS管MP₂₁的栅极、漏极与PMOS管MP₂₃的栅极共连，接NMOS管MN₂₁的漏极；它们的源极共连，接电源电压V_DD；PMOS管MP₂₃的漏极接NMOS管MN₂₃的漏极；PMOS管MP₂₂的栅极、漏极与PMOS管MP₂₄的栅极共连，接NMOS管MN₂₂的漏极；它们的源极也共连，接电源电压V_DD；PMOS管MP₂₄的漏极接比较器的输出端C_out。