[发明专利]一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 200810047047.8 | 申请日: | 2008-03-11 |
公开(公告)号: | CN101244891A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 陶海征;林常规;赵修建 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C03C10/02 | 分类号: | C03C10/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环境友好 红外 倍频 玻璃 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷,其特征在于它的组成按化学式可表示为:(100%-x)GeS2·xAgGaS2,其中,x表示AgGaS2所占摩尔%,且x=5~52%(摩尔),(100%-x)表示GeS2所占摩尔%。
2.根据权利要求1所述的一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷,其特征在于:所述的x=50%(摩尔)。
3.如权利要求1所述的一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1).选取原料:按照(100%-x)GeS2·xAgGaS2,其中,x表示AgGaS2所占摩尔%,且x=5~52%(摩尔),(100%-x)表示GeS2所占摩尔%;选取Ge、Ga、Ag和S四种高纯单质原料备用;
2).在充满惰性气体的环境中,将单质Ge、Ga、Ag和S原料混合,经研磨混合制成配合料后,置于容器中并抽真空,真空度为10-4~10-6Pa,而后熔封容器并置于加热设备中;
3).基础玻璃的制备:对步骤2)的装有配合料的容器加热,首先缓慢升温至1000~1300℃,于此温下保温6~20小时后,通过空气淬冷或冰水混合物淬冷盛有玻璃液的容器,然后立即放入加热到320-350℃温度的退火炉中保温0.5-6小时进行退火处理,退火完成后切片、抛光即获得基础玻璃;
4).将制备的基础玻璃片放入具有惰性气氛保护装置的晶化炉中,升温至340-370℃,恒温3-24小时,进行核化;然后将温度提高到360-410℃,恒温0.5-12小时,完成晶化;再将温度下调到320-350℃,恒温1小时,消除应力,随炉冷却后出炉,抛光后即得一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷。
4.根据权利要求3所述的一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于所述的高纯单质Ge、Ga、S、Ag的纯度分别≥99.99%。
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