[发明专利]实现基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM的接口方法

权利要求书

1、实现基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM的接口方法，包括采用不同的流程处理对内部存储单元、内部数据处理单元和内部DMA控制器的访问，采用通用存储器的接口时序对基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器进行操作，由内部接口单元区分对内部存储单元、内部数据处理单元和内部DMA控制器的访问，并完成相应的时序转换，其特征在于：所述接口方法通过通用访存指令实现对内部存储单元的访问，具体流程为：a程序通过通用访存指令发出对内部存储器的访问；b系统软件地址映射模块将通用访存指令中的地址映射为基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器地址的相应物理空间；c数据处理系统通过标准DRAM存储器接口，发出符合标准DRAM存储器接口时序的信号，对基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器进行访问；所述接口方法通过应用程序接口(API)实现对内部数据处理单元的访问，具体流程为：a程序通过调用API发出对内部处理单元的访问；b系统软件地址映射模块将API中的地址映射为基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器地址的相应物理空间；c数据处理系统通过标准DRAM存储器接口，发出符合标准DRAM存储器接口时序的信号，对基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器进行访问；所述接口方法通过API实现对内部DMA控制器的访问，具体流程如下：a程序通过调用API发出对内部DMA控制器的访问；b系统软件地址映射模块将API中的地址映射为基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器地址的相应物理空间；c数据处理系统通过标准DRAM存储器接口，发出符合标准DRAM存储器接口时序的信号，对基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM存储器进行访问；

所述内部接口单元通过地址信号区分对内部存储器、对内部数据处理单元和对内部DMA控制器的访问；所述内部接口单元将对内部存储器的访问命令直接发送到内部存储器；所述内部接口单元将对数据处理单元的访问命令，进行时序转换，实现对数据处理单元控制寄存器的访问；所述内部接口单元将对DMA控制器的访问命令，进行时序转换，实现对DMA控制器中控制寄存器的访问。

2、根据权利要求1所述的实现基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM的接口方法，其特征在于：所述DRAM存储器接口包括所述数据处理系统主处理单元与具有数据处理能力的DRAM装置之间交换信息的通道为闪存(FLASH)、静态随机存储器(SRAM)、同步动态随机存储器(SDRAM)、双倍速率同步动态随机存储器(DDR)、第二代双倍速率同步动态随机存储器(DDR2)、第三代双倍速率同步动态随机存储器(DDR3)、第二代图形专用双倍速率同步动态随机存储器(GDDR2)、第三代图形专用双倍速率同步动态随机存储器(GDDR3)接口标准规定的时序。

3、根据权利要求1所述的实现基于分布存储结构的具有数据处理能力的DRAM的接口方法，其特征在于：所述内部接口单元包括状态机、时序转换模块、刷新计数模块和译码模块，内部接口单元分别与括状态机、时序转换模块、刷新计数模块和译码模块相连，其中状态机记录当前访问状态，并实现不同访问状态之间的切换；时序转换模块实现通用DRAM访存时序到SRAM访存时序的转换，以实现对内部数据处理单元和内部DMA控制器的访问；刷新计数模块对发送的刷新命令进行计数，并根据计数的数值，选择不同的内部存储体进行刷新；译码模块对地址的某些位进行译码，并选择相应的内部存储体进行操作，以实现对内部存储单元的访问。