[发明专利]一种具有强化层的有机光电子器件及其制备方法无效
| 申请号: | 200810046172.7 | 申请日: | 2008-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101364635A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
| 发明(设计)人: | 蒋亚东;于军胜;李璐;文雯 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 强化 有机 光电子 器件 及其 制备 方法 | ||
1、一种具有强化层的有机光电子器件,包括基板,其特征在于,强化层由n个组合层构成,n为整数且n=1~100,所述组合层由三种方式构成:无机材料层/吸水材料层/无机材料层或者无机材料层/吸水材料层或吸水材料层/无机材料层;强化层中组合层设置在有机光电子器件的上层、下层、四周的一处或者几处,或者设置在基板和有机光电子器件之间或者设置在基板的一侧。
2、根据权利要求1所述的具有强化层的有机光电子器件,其特征在于,所述组合层中的无机材料层材料包括氮化物、氧化物和氮氧化物。
3、根据权利要求2所述的具有强化层的有机光电子器件,其特征在于,所述氮化物包括氮化硅、氮化铝、氮化钛和氮化铬;所述氧化物包括氧化硅、氧化铝、氧化钛和氧化铬;所述氮氧化物包括氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化铬和氮氧化钛。
4、根据权利要求1所述的具有强化层的有机光电子器件,其特征在于,所述组合层中的吸水材料层材料包括碱金属、碱土金属以及金属氧化物、沸石、具有长链碳化氢的金属醇化物、硫酸盐、卤化物、高氯酸盐、淀粉-丙烯腈接枝聚合水解物、淀粉-丙烯酸共聚物、淀粉-丙烯酰胺接枝聚合物、纤维素接枝共聚物、纤维素衍生物交联物、多糖类、蛋白质类、聚丙烯酸钠交联物、丙烯酸-乙烯醇共聚物、丙烯腈聚合皂化物、聚乙烯醇交联聚合物、乙烯醇-亲水性单体接枝共聚物、聚环氧乙烷系和丁烯-马来酸酐共聚物。
5、根据权利要求4所述的具有强化层的有机光电子器件,其特征在于,所述碱金属包括钠、钙、镁和钡,所述金属氧化物包括氧化钙、氧化镁和氧化钡。
6、一种具有强化层的有机光电子器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
①在有机光电子器件的上层、下层或者四周制备无机材料层;
②在上述无机材料层上制备一层吸水材料层;
③在上述吸水材料层上沉积一层无机材料层;
④重复上述步骤①、②、③或者重复步骤①、②,再制备(n-1)周期的组合层交替重叠组成的薄膜层。
7、根据权利要求6所述的具有强化层的有机光电子器件的制备方法,其特征在于,吸水材料层和无机材料层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂和LB膜中的一种或者几种方式形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





