[发明专利]一种磁性阵列的制备方法有效
| 申请号: | 200810045292.5 | 申请日: | 2008-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN101329938A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 李元勋;宋远强;刘颖力;张怀武;钟智勇;边丽菲;查杰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01F10/08 | 分类号: | H01F10/08;H01F41/32;H01F41/34;G11B5/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磁性 阵列 制备 方法 | ||
1.一种磁性阵列的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、根据实际需要,采用现有光刻工艺,制备永磁阵列母板;
步骤2、将纳米铁氧体材料与固含量为5%~45%质量百分比的光敏聚合物材料均匀混合,得到纳米铁氧体-光敏聚合物的复合材料;
步骤3、将步骤1所得的永磁阵列母板固定在基底介质层下表面,然后在基底介质层上表面均匀涂覆一层步骤2所得的纳米铁氧体-光敏聚合物的复合材料;
步骤4、静置待基底介质层上均匀涂覆的纳米铁氧体-光敏聚合物的复合材料中的纳米铁氧体磁性粒子在永磁阵列母板磁场的作用下按照永磁阵列母板的阵列图形排布;
步骤5、待步骤4所述的纳米铁氧体磁性粒子按永磁阵列母板的阵列图形排布好后,在步骤2所述光敏聚合物相应曝光波长的光波下曝光,实现纳米铁氧体磁性粒子的固化;
步骤6、去除永磁阵列母板,即可得到相应的磁性阵列。
2.根据权利要求1所述的磁性阵列的制备方法,其特征在于,步骤2中纳米铁氧体材料与固含量为5%~45%质量百分比的光敏聚合物材料相复合的质量比为1∶10~1∶100之间。
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