[发明专利]单管SONOS NOR型存储器无效
| 申请号： | 200810044174.2 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101763893A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos nor 存储器 | ||
1.一种单管SONOS NOR型存储器，其特征在于，将SONOS管作为存储器件，其中，SONOS管的门栅作为字线，SONOS管的漏端作为存储单元的位线端，SONOS管的源端作为存储单元的源线端，在对存储单元阵列进行擦写以及读操作的时候，通过字线和位线选中目标存储单元。
2.如权利要求2所述的单管SONOS NOR型存储器，其特征在于，该存储器的阵列结构为：选用SONOS存储管作为基本的存储单位，并定义四个单管组成行和列的矩阵阵列。
3.如权利要求1所述的单管SONOS NOR型存储器，其特征在于，该存储器的电压偏置条件为：VPOS和VNEG分别表示在进行写或者擦操作时在位线和字线端的电压，VPOS设置在4V-10V之间，VNEG设置在-7～-3V之间；VUBL表示在未被选中的位线端的偏置电压，设置在0.5V-3.5V之间；在写或者擦操作时源线端电压处于悬置状态；VTO表示在读操作时选中的字线端偏置的电压，设置在-1V-5V之间；VTC表示在读操作时未选中的字线端偏置的电压，设置在-6V-0V之间；VBLR表示在读操作时选中的位线端偏置的电压，设置在0.1V-5V之间；VGND表示在读操作时未选中的位线端偏置的电压，设置在0V。
4.如权利要求3所述的单管SONOS NOR型存储器，其特征在于，该存储器的电压偏置条件还包括：定义SONOS存储管在擦操作过后的电压为VTE，定义SONOS存储管在写操作过后的电压为VTP，定义如下相关属性：VTE＜VTO＜VTP，VTC＜VTE＜VTP。
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