[发明专利]温度传感器电路及温度信号处理方法有效

专利信息
申请号: 200810044168.7 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN101762338A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 陈涛;李兆桂;孟醒 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 顾继光
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 温度传感器 电路 温度 信号 处理 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种温度传感器电路。本发明还涉及一种温度传感器电路对温度信号进行处理的方法。 

背景技术

现有的温度传感器电路如图1所示,包括温度感测部分和温度信号转换部分,所述温度感测部分包括两路并联在电源端VDD与地VSS之间的电流源电路,所述每路电流源电路包括一个电流源和一个双极型晶体管,如图1所示的Q4或Q5,所述电流源的一端连接电源端,另一端连接所述双极型晶体管的发射极,所述电流源产生电流的方向为由电源端向双极型晶体管的发射极,所述双极型晶体管的集电极与基极相连接并接地;所述温度信号转换部分包括一个复用器和一个模数转换器,所述复用器有两个信号输入端,分别连接每个电流源电路中的双极型晶体管的发射极,所述复用器的电压输出端连接所述模数转换器的模拟信号输入端VIN。 

所述双极型晶体管发射极产生与绝对温度成反比的电压VBE4和VBE5,由电压复用器和模数转换器构成的温度信号转换部分,把和温度有关的电压信号转换成表示环境温度的数字信号。 

根据双极型晶体管的特性可知: 

VBE4=kTq(lnIIS)+I·RS]]>

VBE5=kTq(lnpIIS)+pI·RS]]>

其中,k是波尔兹曼常数,为1.38×10-23J/K,T是绝对温度,q是单位电子电荷,为1.6×10-19C,I是双极型晶体管Q4的集电极电流,Is是双极型晶体管的饱和电流,RS是双极型晶体管Q4和Q5的等效串联电阻,p是Q5集电极电流大小对Q4集电极电流大小的倍率。 

温度信号转换部分首先把VBE4和VBE5转换成和绝对温度成比例的电压VPTAT,以及和温度无关的基准电压VREF。 

VPTAT=VBE5-VBE4=kTqln]]>

VREF=VBE4+α·VPTAT; 

其中α为一个比例系数,数值由器件特性决定,使VBE4的温度系数和α·VPTAT的温度系数互相抵消,从而产生和温度无关的电压VREF; 

ADC输出数字温度信号为: 

ADOUT=VPTATVREF.]]>

由于双极型晶体管存在等效串联电阻RS,所以VPTAT不是完全和绝对温度成正比,而是有一个固定的失调,因此产生了温度测量误差。 

发明内容

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