[发明专利]CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法，具体涉及一种CoolMOS(一种高压MOS场效应晶体管)的制造方法，尤其涉及一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法。

背景技术

CoolMOS是一种新型的高压MOSFET(MOS场效应晶体管)结构，其优点在于该器件在耐高压工作的同时可以提供比传统高压MOSFET小一个数量级的导通电阻。

CoolMOS的特征结构是在于在N型外延区引入了很多从外延顶部延伸到沉底区的P型区域，导致MOS管在高压工作状态下除了产生纵向的从漏极到源极的电场外，还有由于横向的PN区出现的横向电场。在不同方向上电场的共同作用下导致电场在横向和纵向上的均匀分布，从而实现在低电阻率外延片上制成高耐压MOS管。

CoolMOS的N型外延上的P型区的形成有多种方法，通常的方法是在外延生长过程中采用多次扩散的方法来实现，包括如下工艺步骤：

步骤1，如图1所示，外延生长后，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火；

步骤2，如图2所示，再一次外延生长，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火；

步骤3，如图3所示，多次重复上述步骤达到所需外延厚度，同时完成纵向P区的形成。

步骤4，如图4所示，栅二氧化硅膜生长，栅极多晶硅(多晶栅)生长，体注入形成体区，源注入形成源区等形成CoolMOS。

CoolMOS作为一种新型高压器件，凭借其特殊结构带来的低导通电阻，低功耗和低开关时间的优势，在高压应用领域有很大的竞争优势。但是，如上所述的传统的多次外延、光刻、注入的加工方式使工艺复杂化，限制了产品的加工成本和生产期。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法，该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法，包括如下步骤：

(1)在硅衬底上一次性生长N型外延；

(2)在N型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在N型外延上选定要生长P型区的部分开深沟槽；

(3)在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽；

(4)用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的P型外延刻蚀到接近N型外延表面；

(5)去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成CoolMOS的纵向P型区外延结构。

步骤(3)利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽，在深沟槽内部形成P型单晶硅。

步骤(4)利用二氧化硅膜作为刻蚀停止层，对P型外延进行回刻，去除在二氧化硅膜表面生长出的P型外延硅，并控制沟槽区的P型外延被刻蚀到接近N型外延表面，保证硅片表面的平整。

步骤(5)采用湿法腐蚀去除二氧化硅膜。

和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：相比传统的多次外延生长，光刻，注入的方法，本发明减少了工艺的复杂度和加工时间。本发明可以在外延一次性生长好的基础上进行P型区域的形成，简化了现有工艺应用的多次外延，光刻，注入的工艺过程。本发明提出在保留沟槽表面二氧化硅膜的情况下在沟槽内生长外延，可以达到只有在沟槽内部形成单晶硅的选择性生长外延的效果，还可以作为下一步回刻工艺掩膜，方便了工艺加工。利用本发明所提出的方法可以大大减少在生产加工上的限制，进一步提高产品的竞争力。

附图说明

图1是现有技术的步骤1完成后晶体管的结构示意图；

图2是现有技术的步骤2完成后晶体管的结构示意图；

图3是现有技术的步骤3完成后晶体管的结构示意图；

图4是现有技术的步骤4完成后晶体管的结构示意图；

图5是本发明的步骤1完成后晶体管的结构示意图；

图6是本发明的步骤2完成后晶体管的结构示意图；

图7是本发明的步骤3完成后晶体管的结构示意图；

图8是本发明的步骤4完成后晶体管的结构示意图；

图9是本发明的步骤5完成后晶体管的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。