[发明专利]一种图像传感器滤镜及其制作方法有效
申请号: | 200810044039.8 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101752393A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/71;H01L21/82 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 顾继光 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 滤镜 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器滤镜,该图像传感器包括硅衬底、位于硅衬底上的图像传感器电路和感光元件、用于连接感光元件的金属层、用于金属互连线隔离的绝缘介质层、用于电路保护和绝缘的钝化层,其特征在于,在图像传感器的感光元件上设有法布里-珀罗反射器以形成滤镜;所述的法布里-珀罗反射器是一层介质层,该介质层的厚度满足法布里-珀罗原理,即该介质层的厚度等于某一波长光线的(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ,会使这一波长的光线形成消光或增强;所述的法布里-珀罗反射器是所述绝缘介质层和钝化层的组合介质层,或者是位于感光元件和绝缘介质层之间的与绝缘介质层的介电常数不同的薄膜介质层。
2.一种如权利要求1所述的图像传感器滤镜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)硅衬底上制作感光元件及相关电路;(2)测量绝缘介质层及钝化层的总厚度,并通过刻蚀工艺调整其厚度使其达到红光消光或增强的厚度;(3)通过光刻工艺打开绿色传感器窗口,并通过刻蚀工艺调整其厚度使其达到绿光消光或增强的厚度;(4)通过光刻工艺打开蓝色传感器窗口,并通过刻蚀工艺调整其厚度使其达到蓝光消光或增强的厚度。
3.一种如权利要求1所述的图像传感器滤镜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅衬底上制作感光元件及相关电路;(2)在硅衬底上生长一层高折射率的介质,使其厚度等于红光(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ减去绿光(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ;(3)利用光刻刻蚀工艺去除绿色和蓝色单元的介质层;(4)在硅衬底上生长一层高折射率的介质,使其厚度等于绿光(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ减去蓝光(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ;(5)利用光刻刻蚀工艺去除蓝色单元的介质层;(6)在硅衬底上生长一层高折射率的介质,使其厚度等于蓝光(n+1/2)λ,(n+3/4)λ或(n+1/4)λ;(7)制作用于连接感光元件的金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的