[发明专利]半导体硅片对准标记制作方法及其制作的半导体硅片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体硅片对准标记的制作方法。本发明还涉及一种半导体硅片。

背景技术

目前，在半导体制造中，将对准标记放入到硅片正面的切割道中，这样就减少了正面硅片的使用面积。特别是在新工艺开发时，经常会需要加入许多对准标记的分批来评价，这时候，切割道往往会不够使用。同时，由于每次开发的新产品的硅片的芯片尺寸的不同，每次都需要重新安排对准标记的位置；而且当产品的膜厚(film stack)改变时，对准信号的形貌(profile)和信号强度都会受到影响。

另外，在半导体的各种工艺过程中，可能会由于各种原因使得对准标记的形貌发生变化。如图1所示，当对准标记形貌有变化时，可能引入次峰，导致对准信号变形失真，从而影响对准标记的坐标。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体硅片对准标记的制作方法，以及采用这种方法制作的半导体硅片，能够节约硅片正面的使用面积，固定对准标记的安放位置，并且使得对准信号不受不同产品和不同工艺的影响。

为解决上述技术问题，本发明半导体硅片对准标记的制作方法的技术方案是，在半导体硅片背面淀积一层发光材料，之后在硅片背面进行光刻，然后刻蚀制作出对准标记，去除光刻胶。

本发明还提供了一种半导体硅片，其技术方案是，所述半导体硅片背面设置有对准标记，所述对准标记由发光材料制作。

本发明通过将对准标记设置在半导体硅片的背面，大大节约了硅片正面的使用面积，固定对准标记的安放位置，并且使得对准信号不受不同产品和不同工艺的影响。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1为现有的半导体硅片对准标记受形貌变化影响的示意图；

图2和图3为本发明半导体硅片及其对准标记的制作方法的另一个实施例的侧视剖面图；

图4为本发明半导体硅片对准标记受形貌变化影响的示意图；

图5为本发明半导体硅片及其对准标记的制作方法的又一个实施例的侧视剖面图；

图6为本发明半导体硅片的对准探测装置的结构示意图。

图中附图标记为，1.半导体硅片；2.对准标记；3.发光材料；4.氧化膜；5.光源；6.半反半透镜；7.透镜；8.透镜；9.光学探测器。

具体实施方式

本发明公开了一种半导体硅片对准标记的制作方法，如图2所示，进行光刻之前，在半导体硅片1背面淀积一层发光材料3，然后在硅片背面进行光刻，并在之后的刻蚀步骤中对所述发光材料层进行刻蚀，形成对准标记2，如图3所示。

本发明中，所述对准标记由发光材料制作。在对准标记中加入了发光物质，大大增强了峰值的信号强度，这样一来，即使对准标记刻蚀后底部形貌不好，或者有残留的情况下，也可以提高信号强度，减小测量误差。如图4所示，当对准标记中掺入发光物质后，对准标记的信号强度主要受标记的上层的影响，而对准标记的底部信息对信号强度的影响会减小。所述发光物质在红外线照射下会发射可见光或其他波段，可以采用荧光粉，采用溶胶凝胶法实施。首先要把荧光粉和环氧树脂调配好，调配的浓度要选择好，然后涂到硅片背面。

如图5所示，依据本发明所提供的半导体硅片对准标记的制作方法制作半导体硅片的对准标记时，在去除光刻胶之后，可以在半导体硅片1背面再淀积一层氧化膜4，避免对准标记在制造过程中受其他工艺的影响。

本发明的对准标记可采用如图6所示的半导体硅片的对准探测装置进行探测，该探测装置包括一个照射于半导体硅片1背面对准标记的光源5，在所述光源6照射向硅片背面的透射光路上斜向设置有半反半透镜7，所述光源透射光路照射到所述半反半透镜7后透射过所述半反半透镜7，并照射到所述硅片1背面，所述透射光路上还设置有透镜7，将所述透射光路聚焦于对准标记，之后硅片1表面的反射光路照射到所述半反半透镜6后又发生反射，照射到所述对准探测装置的光学探测器9上，所述反射光路上还设置有透镜8，将反射光路聚焦成像于光学探测器9上。

综上所述，本发明通过将对准标记设置在半导体硅片的背面，大大节约了硅片正面的使用面积，固定对准标记的安放位置，并且使得对准信号不受不同产品和不同工艺的影响。