[发明专利]MOSFET失配模型的建立及仿真方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件建模方法，具体涉及一种MOSFET失配模型 的建立及仿真方法。

背景技术

在电路设计的过程中，由于器件工艺失配误差的存在会对设计造成一 定的偏差。综合来说，栅氧厚度之间的差异、器件尺寸、器件之间的间距 等因素都会对工艺失配误差产生影响。

因此，随着电路设计要求的提高，对模型精度的要求不仅仅体现在电 学特性上，还要求能够反映由于工艺的失配造成的特性误差。但是现有的 器件模型通常除了描述工艺水准的上下限以外，并没有专门描述实际误差 情况。因此，有必要在原先的模型基础上，建立失配随机误差的描述功能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MOSFET失配模型的建立方法， 它能够在原先的模型基础上，建立失配随机误差的描述功能。

为解决上述技术问题，本发明MOSFET失配模型的建立及仿真方法的技 术解决方案为：

采用BSIM3模型(由伯克利大学研发的一种工业标准器件模型)为基 础，分为以下步骤：

第一步，利用统计原理建立模型参数随机误差统计表达式；

与器件的沟道区二维面积成反比的工艺参数的误差表达式为 σΔq2=s1,q2WL;]]>

与器件沟道的一维长或宽成反比的工艺参数的误差表达式为 σΔL2=S1,P2W,]]>σΔW2=S2,P2L;]]>

第二步，根据模型参数随机误差统计表达式的物理定义，分别在BSIM3 模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项；

选择BSIM3模型参数中的vtho、tox、lint、wint和u0这5个参数， 添加修正公式，作为开启电压、栅氧厚度、沟道栅长、沟道栅宽和迁移率 的误差描述；

开启电压的误差修正表达式为ΔVth0=avth0WL*agauss(0,1,1);]]>