[发明专利]芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法

权利要求书

1.芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法，集成在现有的芯片制备流程中，其特征在于：在硅片上完成器件制备以及氧化硅衬垫层之后，金属前介质层淀积之前，增加一先在硅片预定位置处刻蚀形成芯片互联通孔的步骤和后用导电树脂填充所述刻蚀出的芯片互联通孔的步骤；在后续的金属化工艺中，将芯片互联通孔中的导电树脂逐层通过接触孔和金属进行电连接导出，直至在最后的绝缘层上留接触孔；之后刻蚀芯片背面的硅至露出芯片互联通孔中的导电树脂，而后沿切割道将单个切割硅片形成单个芯片；最后将多个芯片通过TSV通孔将芯片背靠背连接和通过接触孔将芯片正面对正面连接，形成多个芯片的并联。

2.按照权利要求1所述的芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法，其特征在于，所述先在硅片预定位置处刻蚀形成芯片互联通孔的步骤和后用导电树脂填充所述刻蚀出的芯片互联通孔的步骤包括：

1)利用光刻工艺在预定的硅片位置处定义出芯片互联通孔；

2)以光刻形成的光刻胶图案为刻蚀掩膜，刻蚀硅片形成芯片互联通孔，接着去除光刻胶并清洗；

3)淀积导电树脂以填充所述的芯片互联通孔，之后去除硅片表面的导电树脂。