[发明专利]半导体器件中源漏注入结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件中源漏注入结构的制备方法，所述源漏注入结构包括源漏注入区和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅衬底上形成所述半导体器件的栅极之后，包括如下步骤：

1)在所述硅衬底表面上淀积一层氧化硅，作为离子注入时的保护层；

2)在所述氧化硅上涂光刻胶，用低剂量离子注入区的光刻掩膜版曝光显影，曝出需进行低剂量离子注入的区域，以显影后的光刻胶图形为掩膜，进行离子注入形成轻掺杂漏区，其中所述光刻胶为KrF光刻胶；

3)在所述光刻胶上涂化学收缩剂，而后进行烘烤，接着显影，得开口尺寸缩小至预定的数值范围的光刻胶图形；

4)利用开口尺寸缩小后的光刻胶图形为掩膜，进行源漏离子注入，形成源漏注入区；

5)去除光刻胶和残余化学收缩剂并清洗。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中烘烤的温度范围为60℃～250℃，烘烤时间为10s～120s。

3.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中化学收缩剂的厚度为1000～10000