[发明专利]源漏注入结构的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件源漏注入结构的制备方法，包括源漏区和 轻掺杂漏区的形成。

背景技术

在半导体芯片制造中，一般光刻的次数决定了产品的成本。在传统的 芯片制备工艺流程中，源漏注入区(SD Implanting)和轻掺杂漏区(LDD Light Dose Doping)注入分别通过两次光刻来作为注入阻挡层。常见的 半导体器件注入结构形成的方法流程，在多晶硅栅极形成之后，包括如下 步骤：

1、在硅片上淀积一层氧化硅衬垫层，用于在离子注入过程中保护硅 衬底上已经形成的结构；

2、低剂量掺杂注入区光刻，后进行低剂量离子注入；

3、形成多晶硅栅极侧墙；

4、源漏注入光刻，后进行源漏区离子注入。

后续还有例如去光刻胶和清洗等常规步骤。在上述的流程中可以看 出，需要用两个光刻掩膜版，进行两次光刻工艺作为注入阻挡层。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种源漏注入结构的制备方法，其能 通过减少光刻掩膜版和光刻次数，降低芯片生产成本。

为解决上述技术问题，本发明的源漏注入结构的制备方法，所述源漏 注入结构包括源漏注入区和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅衬底上形成所 述半导体器件的栅极之后，包括如下步骤：

1)在所述硅衬底表面上淀积一层氧化硅，作为离子注入时的保护层；

2)在所述氧化硅上涂光刻胶，用低剂量离子注入区的光刻掩膜版曝光 显影，曝出需进行低剂量离子注入的区域，以显影后的光刻胶图形为掩膜， 进行离子注入形成轻掺杂漏区；

3)对硅片进行烘烤，使光刻胶图形开口缩小至预定的数值范围；

4)利用开口尺寸缩小后的光刻胶图形为掩膜，进行源漏离子注入，形 成源漏注入区；

5)去除光刻胶并清洗。

本发明的源漏注入结构的制备方法，仅需要一个光刻掩膜版进行一次 光刻，且在两次注入之间通过缩小掩膜图形的开口尺寸，省略了常规工艺 中侧墙制备的流程(包括氧化硅的淀积和刻蚀)，大幅降低了制备的成本。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为本发明的制备方法中多晶硅栅光刻显影后的结构示意图；

图2为本发明的制备方法中多晶硅栅刻蚀后的结构示意图；

图3为本发明的制备方法中氧化硅衬垫层制备后的结构示意图；

图4为本发明的制备方法中LDD形成后的结构示意图；

图5为本发明的制备方法中烘烤后的结构示意图；

图6为本发明的制备方法中源漏注入后的结构示意图；

图7为本发明的制备流程示意图。

具体实施方式

本发明的半导体器件源漏注入的制备方法，其中源漏注入包括常规的 源漏区注入(重掺杂)和轻掺杂漏区注入(即LDD注入)。本发明的制备 方法主要基于一次光刻后，先进行低剂量掺杂区的注入，形成LDD区；而 后缩小光刻胶开口，使光刻胶开口缩小为预先设定的源漏掺杂区图形的尺 寸；再进行源漏区的注入，形成源漏区；最后去胶清洗即可。

下面结合图7具体描述实施的流程：

1、在多晶硅栅极淀积之后，进行多晶硅栅极的光刻(见图1)；

2、刻蚀去除曝出的多晶硅，形成半导体器件的栅极(见图2)；

3、接着淀积一层氧化硅衬垫层(liner oxide)，作为离子注入时的 保护层(见图3)；

4、涂光刻胶，用低剂量掺杂注入区的光刻掩膜版曝光显影，曝出需 进行低剂量掺杂注入的区域，低能量离子注入形成轻掺杂漏区(见图4)， 此步骤中的注入离子能量和剂量与常规的工艺相同；