[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，具体步骤如下：

A.衬底的清洗和氧化

将衬底放在金属有机化学气相沉积系统的反应腔里的样品架上，使系统循环水的温度保持在25℃，通氩气使反应腔里的压力稳定在1-4Torr，并对衬底加热至1000℃，保持1-5分钟，在氩气气氛中清洗衬底；

接着将温度降至900℃、再加入氧气，流量为100-200sccm，在氩气和氧气的混合气氛下，压力稳定在2-4Torr，保持1-5分钟，氧化衬底；

B.钛酸锶钡薄膜材料的生长

C.钛酸锶钡薄膜材料的热处理

将沉积好的钛酸锶钡薄膜从反应腔中取出后，立即放入洁净小坩埚内，然后将小坩埚置于热处理炉的石英管中，在氧气流量为0.5-2L/min条件下，在200分钟内使热处理炉从室温匀速升温至400-600℃后，保温1小时；然后再在250分钟内使热处理炉内的温度匀速降至150℃，然后关闭氧气和电源，降至室温取出；

所说的B步骤的钛酸锶钡薄膜材料的生长，其特征在于：原位将衬底温度降至650-700℃，在上述的氩气和氧气的混合比和气压下，向反应腔内通入钡、锶、钛的前驱物，流量分别为50-70sccm、50-70sccm、15-25sccm；前驱物的温度分别为100-125℃、100-125℃、50-70℃，保持20-30分钟，进行钛酸锶钡的晶核生长；接着以大于200℃/s的升温速率将温度升到800-850℃，保持30-60分钟，完成钛酸锶钡薄膜的生长，随后在氩气的气氛中冷却到室温。

2.根据权利要求1的一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，其特征在于：所说的钡、锶、钛的前驱物分别是Ba(Hdfhd)₂(tetraglyme)、Sr(Hdfhd)₂(tetraglyme)和TTIP-Ti(OC₃H₇)₄，

其中Hdfhd＝1，1，1，2，2，6，6，7，7，7-dekafluoroheptane-3，5-dione，tetraglyme＝2，5，8，11，14-pentaoxopentadecane；TTIP＝Titanium tetraisoproxide。

3.根据权利要求1的一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，其特征在于：所说的衬底材料为MgO或(001)SrTiO₃。