[发明专利]在SONOS产品中制备ONO结构的方法

权利要求书

1.一种在SONOS产品中制备ONO结构的方法，其特征在于，在硅衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构之后，包括如下步骤：

1)在硅衬底上依次淀积下层氧化膜、中间氮化膜层和上层氧化膜，涂覆光刻胶并光刻形成光刻胶图案；

2)采用湿法刻蚀刻蚀所述上层氧化膜；

3)光刻胶的侧向裁减，使光刻胶断口的侧向尺寸与上层氧化膜断口的侧向尺寸一致；

4)等离子刻蚀工艺刻蚀中间氮化膜层，刻蚀停止在下层氧化膜内；

5)湿法刻蚀去除下层氧化膜，最后去除光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤一在淀积上层氧化膜之后还淀积抗反射涂层，所述步骤二前还包括用等离子刻蚀法刻蚀所述抗反射涂层至上层氧化膜，所述步骤三中侧向裁减同时将抗反射涂层进行侧向裁减。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述等离子刻蚀抗反射涂层采用双射频电源刻蚀机，刻蚀工艺参数：源功率为200～600W，偏转功率为30W～300W，气体压力为2～20mT，Cl₂流量为0～100SCCM，CF₄流量为0～150SCCM，O₂流量为0～50SCCM，Ar流量为0～180SCCM，碳氟系气体流量为0～100SCCM，总气体流量50～250SCCM。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：所述步骤三中光刻胶的侧向裁减利用等离子刻蚀工艺，采用双射频电源刻蚀机，工艺参数：源功率为200～1200W，偏转功率为0～200W，气体压力为10～150mT，Cl₂气体流量为0～200SCCM，HBr气体流量为0～300SCCM，O₂流量为0～200SCCM，碳氟系气体流量为0～100SCCM。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤三中光刻胶的侧向裁减采用双射频电源刻蚀机，工艺参数：源功率为300～1000W，偏转功率为0～100W，气体压力为30～100mT，Cl₂气体流量为10～150SCCM，HBr气体流量为20～200SCCM，O₂流量为30～150SCCM，碳氟系气体流量为10～50SCCM。

6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：所述步骤四中中间氮化膜的等离子刻蚀采用双射频电源刻蚀机，工艺参数：源功率为200～600W，偏转功率为20W～150W，气体压力为5～30mT，CF₄流量为10～80SCCM，CHF₃流量为10～150SCCM，Ar流量0～80SCCM，He流量为0～300SCCM，总气体流量80～300SCCM。