[发明专利]禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法有效
| 申请号: | 200810042305.3 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101359705A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
| 发明(设计)人: | 杨长;李效民;于伟东;张亦文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L31/0296;H01L31/18;H01L21/363;C30B29/22 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 宽度 连续 可调 多元 合金 氧化物 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜的制备方法,所述禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料,其组成通式为Zn1-x-yBexMgyO,其中x、y为摩尔分数,且0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1,通过控制x和y的值来调节ZnBeMgO薄膜中Be和Mg的含量,禁带宽度在3.7-4.9ev范围内的连续可调,其特征在于工艺步骤是:
a)先将衬底用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗,然后放入成膜室中,保持衬底温度为600℃;
b)在10-5Pa背景真空下通入高纯氧气,维持氧分压为10-12Pa;
c)选择Zn0.8Mg0.2O和BeO高纯陶瓷片作为靶材,交替由不同脉冲数的激光轰击烧蚀,通过控制每个交替沉积周期中烧蚀Zn0.8Mg0.2O和BeO陶瓷靶的激光脉冲数来控制Zn1-x-yBexMgyO薄膜中x和y的值,调节薄膜中Be和Mg的含量,从而对其结晶质量和禁带宽度进行有效控制;从而在衬底上获得不同Be含量的ZnBeMgO薄膜,激光能量为200mJ,脉冲频率为5Hz;
d)总的生长过程由350个交替沉积周期构成,结束生长后自然冷却,获得所需的薄膜。
2.按权利要求1所述的禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜的制备方法,其特征在于靶材和衬底间距为6cm,每一个交替生长周期中,轰击烧蚀Zn0.8Mg0.2O靶的激光脉冲数固定为25个,轰击烧蚀BeO靶的激光脉冲数为10-70个。
3.按权利要求1所述的禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜的制备方法,其特征在于蓝宝石作衬底是在10-5Pa背景真空下700℃退火30min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810042305.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种永久性抗静电剂的制备方法
- 下一篇:一种双模手机及其电池保护电路





