[发明专利]去除氮氧化硅膜的方法有效
| 申请号： | 200810041883.5 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101656191A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘轩;杨永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，包括：
提供形成有氮氧化硅膜的控片；
用浓度为0.2％～0.5％的氢氟酸清洗氮氧化硅膜表面；
用磷酸去除氮氧化硅膜；
用浓度为45％～50％的氢氟酸去除残留氮氧化硅膜；
用包含氨水、双氧水和水的溶液清洗控片表面。
2.根据权利要求1所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，用浓度为0.2％～0.5％的氢氟酸清洗氮氧化硅膜表面所用时间为8分钟～12分钟。
3.根据权利要求1所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，所述磷酸的浓度为55％～65％。
4.根据权利要求1或3所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，用磷酸去除氮氧化硅膜所用时间为20分钟～40分钟。
5.根据权利要求1所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，用浓度为45％～50％的氢氟酸去除残留氮氧化硅膜所用时间为8秒～12秒。
6.根据权利要求1所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，氨水、双氧水和水的比例为1∶1∶50。
7.根据权利要求1或6所述去除氮氧化硅膜的方法，其特征在于，用氨水、双氧水和水的混合溶液清洗控片表面所用时间为4分钟～7分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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