[发明专利]双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备有效
申请号: | 200810041864.2 | 申请日: | 2008-08-19 |
公开(公告)号: | CN101339967A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 奚建平;金小亮 | 申请(专利权)人: | 上海曙海太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;C23C16/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201300上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交替 式非晶硅光伏 薄膜 化学 沉积 设备 | ||
1.一种双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备,包括真空镀膜机,所述真空镀膜机包括真空腔体及与其连接的加热和冷却系统(7)、真空获得和压力测量系统(5)、工艺气体和流量控制系统(4)、射频电源和匹配器系统(6)和中心控制系统(8),其特征在于:该真空镀膜机设有两个真空腔体(1),每个真空腔体设有一至多个电极盒(2);所述两个真空腔体共用真空获得和压力测量系统(5),工艺气体和流量控制系统(4),射频电源和匹配器系统(6),通过中心控制系统(8)在时间上控制真空腔体的交替镀膜过程。
2.如权利要求1所述的双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备,其特征在于:所述真空腔体内设置轨道,电极盒安装在轨道上,便于安装和维护时拉出和推入。
3.如权利要求1所述的双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备,其特征在于:各个系统与电极盒的连接均为固定式,在生产的全部过程中无须移动、拆卸或装接。
4.如权利要求1所述的双腔交替式非晶硅光伏薄膜化学气相沉积设备,其特征在于:该设备在生产过程中,两真空腔体交替进行非晶硅镀膜和玻璃片装卸载,并在玻璃片装卸载时将其温度降至安全操作范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的