[发明专利]选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；

在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；

在防反射层上形成母线；

使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接；

所述形成具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：

在半导体衬底中形成发射极沟槽；

在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成发射极PN结；

在发射极沟槽中依次形成阻挡层、导电层和焊接层，组成埋栅电极。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线的宽度为3000～5000μm。

4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。

5.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。

6.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为镍，导电层的材料为铜，焊接层的材料为银。

7.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为2～20μm，导电层的厚度为5～50μm，焊接层的厚度为5～50μm。

8.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线的材料为银。

9.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线与埋栅电极上下垂直排列。

10.根据权利要求9所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述埋栅电极互相平行排列且排列间距相同。

11.根据权利要求9所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线互相平行排列且排列间距相同。

12.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，在形成选择性发射极太阳能电池单元基体的过程中还包括形成子埋栅电极。

13.根据权利要求12所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述子埋栅电极与埋栅电极在同一平面内垂直相交，并且子埋栅电极位于母线的正下方，与母线上下平行排列。

14.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，共烧太阳能电池单元基体，使母线受热烧穿防反射层与埋栅电极相连接。

15.一种选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，包括：

具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；

形成于太阳能电池单元基体受光面的防反射层；

在防反射层上形成的母线，所述母线穿过防反射层与埋栅电极相连接；

所述具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：

半导体衬底；

形成于半导体衬底中的发射极沟槽；

在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成的发射极PN结；

在发射极沟槽中依次形成的阻挡层、导电层和焊接层。

16.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。

17.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述母线的宽度为3000～5000μm。

18.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。

19.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。