[发明专利]快速制备SiC纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810041205.9 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101327929A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王峰磊;张丽英 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 制备 sic 纳米 方法 | ||
1.一种快速制备SiC纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、按照质量百分比将SiO粉为33.3％-66.7％、焦炭为33.3％-66.7％进行混合；
b、将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；
所述球磨，其时间为6-24小时，速度为400转/分钟；
c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；
所述抽真空，是指抽真空至50Pa-100Pa；
d、在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02-0.04MPa；
e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；
所述保温，其时间为20min-60min；
f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。
2.根据权利要求1所述的快速制备SiC纳米线的方法，其特征是，步骤a中，按质量百分比为SiO粉为33.3％，焦炭为66.7％进行混合。
3.根据权利要求1所述的快速制备SiC纳米线的方法，其特征是，步骤a中，按质量百分比为SiO粉为50％，焦炭为50％进行混合。
4.根据权利要求1所述的快速制备SiC纳米线的方法，其特征是，步骤a中，按质量百分比为SiO粉为66.7％，焦炭为33.3％进行混合。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的快速制备SiC纳米线的方法，其特征是，所述SiO粉、焦炭，其纯度均为99.9％以上。
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