[发明专利]化学气相沉积的预处理方法有效
| 申请号： | 200810041181.7 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101638776A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 翟志刚;陈彤;李瑞秋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 预处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学气相沉积的预处理方法，其特征在于，步骤包括：在置入产品晶 圆前，将表面薄膜成分与产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜成分不相同的 挡片晶圆置入晶舟中，并在挡片晶圆表面预先沉积一层与产品晶圆所需化 学气相沉积的薄膜成分相同的薄膜，之后，将产品晶圆置入晶舟中，沉积 产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述预先沉积为化学气相沉积。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述在挡片晶圆表面预先沉积的 薄膜厚度为10-5000埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述晶圆所需化学气相沉积的薄 膜成分为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述挡片晶圆的表面薄膜成分为 二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810041181.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全消光阳离子染料可染聚酯纤维及生产方法
- 下一篇：单相智能型用电保护装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
