[发明专利]高速互补单元相变存储器无效
| 申请号： | 200810040951.6 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101329908A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;富聪;陈邦明;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 互补 单元 相变 存储器 | ||
【权利要求书】：
1、一种高速互补单元相变存储器，其特征在于：所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。
2、根据权利要求1所述的高速互补单元相变存储器，其特征在于：所述元器件由两个二极管和两个相变电阻存储单元构成。
3、根据权利要求2所述的高速互补单元相变存储器，其特征在于：所述元器件中，第一二极管与第一相变电阻存储单元组成的器件存储一个电阻状态，第二二极管与第二相变电阻存储单元组成的器件存储相反的电阻状态，且两个相变电阻存储单元可被独立编写电阻。
4、根据权利要求1所述的高速互补单元相变存储器，其特征在于：所述两个相变单元存储分别为相反的两个电阻状态，存储1bit的数据。
5、根据权利要求1或2或3或4所述的高速互补单元相变存储器，其特征在于：在所述存储器进行读操作时，降低对单个相变电阻读操作所需要的最小操作电压或电流。
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