[发明专利]一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810038579.5 申请日: 2008-06-05
公开(公告)号: CN101290972A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 徐伟;董元伟 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/28;G11C11/56;G11C16/02
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 擦写 读出 薄膜 电阻 开关 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件,其特征在于该器件结构组成依次为:金属底电极、功能介质层、金属顶电极,这里,金属底电极为铜膜,厚度为150nm-300nm,金属顶电极为铝膜,厚度为80nm-150nm;功能介质层为由铜底电极在硫氰溶液中吸附硫氰,然后自然固化形成的聚硫氰薄膜。

2.一种如权利要求1所述的可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件的制备方法,其特征在于具体步骤为:在平整的绝缘基板上用真空热蒸发法蒸镀铜膜,作底电极,铜膜厚度为150nm-300nm;在0℃以下,配置硫氰的乙醚溶液或者二氯甲烷溶液;在0℃以下用乙醇稀释至浓度为10-1~10-5mol/l;将铜底电极浸入到上述溶液中,浸泡3分钟~10小时;取出铜底电极,用大量乙醇充分淋洗,自然凉干或者用电吹风吹干;然后在洁净的大气环境中自然固化2~10小时,在铜底电极上形成聚硫氰薄膜;最后利用真空热蒸发方法沉积铝膜作为顶电极,铝膜厚度为80nm-150nm。

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