[发明专利]一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一次写入多次读取的电存储器件，其特征在于该器件的结构组成依次为金属底电极、配位聚合物介质层、金属顶电极；其中金属底电极为铜膜，厚度为150-300nm；金属顶电极为铝膜，厚度为80-150nm；中间的配位聚合物介质层是由金属底电极浸入到有机配体分子溶液中，通过固-液界面的化学反应，原位形成的配位聚合物薄膜，该有机配体为2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑，分子式为C₂H₂N₂S₃。

2.一种如权利要求1所述的一次写入多次读取电存储器件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)采用乙醇或者N，N-二甲基甲酰胺做溶剂，配制浓度为0.01～20克/升的有机配体分子溶液，备用；(2)在载波片上通过真空热蒸发方法沉积厚度为150～300纳米的铜膜作为底电极，电极的形状由掩膜确定；(3)将铜膜底电极浸入有机配体分子溶液中，自然放置0.5～48小时，然后将电极取出，用大量溶剂洗涤，静置晾干或者用电吹风吹干，即在铜膜底电极表面形成配位聚合物介质层；(4)用真空热蒸发方法在配位聚合物介质层的表面蒸镀80-150纳米厚度的铝膜，作为顶电极；这里，所述有机配体为2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑，分子式为C₂H₂N₂S₃。