[发明专利]新型不可挥发存储器的工艺波动性控制方法

权利要求书

1、一种不可挥发存储器的工艺波动性控制方法，其特征在于将不可挥发存储器的工艺波动性控制与其测试相结合，将工艺波动性控制逻辑嵌入存储器的内嵌自测试控制电路，利用测试过程中对存储器的读写实现新型不可挥发存储器的工艺波动性控制。

2、根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于具体步骤如下：

首先，将存储阵列按区域划分为若干个大小相同的模块，其中，同一模块具有相同的工艺波动参数；

其次，将工艺波动性参数直接存储在新型不可挥发存储器中，即对于存储阵列的每一个模块，初始的8个字节用于存储工艺波动性参数；对用户而言，这8个字节是不可读写的，同时通过存储器的内部控制逻辑实现存储地址对用户是连续的；

再次，将新型不可挥发存储器的工艺波动性控制与其测试相结合，利用测试过程对存储阵列的读写实现工艺波动性控制。

3、根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于所述将工艺波动性控制与其测试相结合，就是将工艺波动性控制加入存储器的内嵌自测试中，得到内嵌自测试和工艺波动性控制器，通过内嵌自测试实现对存储阵列的读写和学习，将学习的中间结果存入内嵌自测试和工艺波动性控制器的内部寄存器R1～Rn，再通过内嵌自测试和工艺波动性控制器将最终的工艺波动性参数写入相应模块的前8个字节，从而完成新型不可挥发存储器的工艺波动性控制。

4、根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于利用新型不可挥发存储器的测试过程实现写操作的工艺波动性控制的步骤如下：

(1).、首先让BIST控制＝1、读/写＝写和PVT控制＝0，然后对存储阵列进行写操作。

(2).、将R1～Rn全部清0；

(3)、判断地址是否处于当前模块，如果是，进入步骤(4)，否则进入步骤(12)；

(4)、使用第一组参数进行写操作，如果写操作成功，则R1＝R1+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(5)；

(5)、使用第二组参数进行写操作，如果写操作成功，则R2＝R2+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(6)；

(6)、使用第三组参数进行写操作，如果写操作成功，则R3＝R3+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(7)；

(7)、使用第四组参数进行写操作，如果写操作成功，则R4＝R4+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(8)；

(8)、使用第五组参数进行写操作，如果写操作成功，则R5＝R5+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(9)；

(9)、使用第六组参数进行写操作，如果写操作成功，则R6＝R6+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(10)；

(10)、使用第七组参数进行写操作，如果写操作成功，则R7＝R7+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(11)；

(11)、使用第八组参数进行写操作，如果写操作成功，则R8＝R8+1，返回步骤(3)，否则直接返回步骤(3)；

(12).、让PVT控制＝1，读/写＝写和BIST控制＝0，根据R1～Rn存储数值的大小，将数值最大的寄存器所对应的写操作电压或电流的宽度和幅度写入存储阵列相应模块的前8个字节。

5、根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于对存储阵列测试的同时实现对读操作的工艺波动性控制，其步骤如下：

(1).让BIST控制＝1、读/写＝读和PVT控制＝0，然后对存储阵列进行读操作；

(2).将R1～Rn全部清0；

(3).判断地址是否处于当前模块，如果是，进入步骤(4)，否则进入步骤(12)；

(4).使用第一组参数进行读操作，如果读操作成功，则R1＝R1+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(5)；

(5).使用第二组参数进行读操作，如果读操作成功，则R2＝R2+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(6)；

(6).使用第三组参数进行读操作，如果读操作成功，则R3＝R3+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(7)；

(7).使用第四组参数进行读操作，如果读操作成功，则R4＝R4+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(8)；

(8).使用第五组参数进行读操作，如果读操作成功，则R5＝R5+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(9)；

(9).使用第六组参数进行读操作，如果读操作成功，则R6＝R6+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(10)；

(10).使用第七组参数进行读操作，如果读操作成功，则R7＝R7+1，返回步骤(3)，否则进入步骤(11)；

(11).使用第八组参数进行读操作，如果读操作成功，则R8＝R8+1，返回步骤(3)，否则直接返回步骤(3)；

(12).让PVT控制＝1、读/写＝写和BIST控制＝0，根据R1～Rn存储数值的大小，将数值最大的寄存器所对应的读操作的充电和检测的周期写入存储阵列相应模块的前8个字节。