[发明专利]用于光刻机的调焦调平装置及测量方法有效
| 申请号: | 200810037245.6 | 申请日: | 2008-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN101276160A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 廖飞红;陈飞彪;李小平;程吉水;李志科 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 光刻 调焦 平装 测量方法 | ||
1、一种硅片调焦调平测量装置,其测量光路分布于投影物镜光轴的两侧,包括依次以光路连结的照明单元、投影单元、成像单元及探测单元,其中照明单元主要由光源、透镜组及光纤组成;投影单元主要由反射镜组、狭缝阵列及透镜组组成;成像单元主要由反射镜组、透镜组及平行偏转补偿板组成;其特征在于:探测单元包括分光器和与其以光路连结的精测光路及粗测光路,所述分光器将成像单元射出的光束按光强分成两束,一束进入精测单元,一束进入粗测单元,精测光路包括以光路连结的一只扫描反射镜、一个探测狭缝阵列、光电探测器阵列;而粗测光路则包括一只放大透镜组和若干只探测器。
2、根据权利要求1所述的硅片调焦调平装置,其特征在于:光束经过成像单元后,在硅片表面形成等距的光斑阵列,该光斑阵列可以为4×4或5×5或6×6或7×7或8×8或9×9光斑阵列。
3、根据权利要求1所述的硅片调焦调平装置,其特征在于:光束经粗测光路后,有多列光斑成像在对应的探测器上。
4、根据权利要求3所述的硅片调焦调平装置,其特征在于:至少有两列光斑成像在所述探测器上。
5、根据权利要求1~4中任一项所述的硅片调焦调平装置,其特征在于:所述探测器为CCD探测器或PSD探测器。
6、一种硅片调焦调平测量方法,根据粗测结果和精测结果来判断调焦调平装置测量结果,其步骤包括:如果粗测单元测量在精测范围内,则精测结果有效;反之,则粗测结果有效。
7、根据权利要求6所述的硅片调焦调平测量方法,其特征在于,对于探测器为CCD型探测,则粗测单元的输出信号采用的信号处理步骤依次为:CCD图像采集,图像预处理,图像分割、判断偏移方向,图像处理、非线性补偿,坐标系转换。
8、根据权利要求6所述的硅片调焦调平测量方法,其特征在于,对于探测器材用PSD型探测器,则粗测单元的输出信号采用的信号处理步骤依次为:信号预处理、非线性补偿、线性化和坐标系转换。
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