[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：

一玻璃基板；

多条位于该玻璃基板上的数据线、扫描线和公共电极线；

一由一数据线、一扫描线和一公共电极线围成的像素单元；

该像素单元包括一像素电极和一薄膜晶体管；

该薄膜晶体管包括一栅极、一漏极、一源极和位于该栅极上的一有源层，该栅极与扫描线连接，该源极通过一接触孔与数据线连接。

2、如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该漏极为像素电极与有源层重叠的部分。

3、如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该漏极、源极和栅极之间设有一第一绝缘层和一第二绝缘层。

4、如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该公共电极线和像素电极之间通过第一绝缘层和第二绝缘层形成存储电容。

5、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该像素电极和源极上设有一第三绝缘层。

6、如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该像素电极和数据线之间设有遮光条。

7、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

提供一玻璃基板；

在该玻璃基板上淀积第一金属层，接着使用第一掩模版曝光，然后显影和刻蚀形成第一金属层图形；

在第一金属层图形的基础上淀积第一绝缘层；

在第一绝缘层的基础上溅射第二金属层，使用第二掩模版曝光，然后显影和刻蚀形成第二金属层图形；

在第二金属层图形的基础上淀积第二绝缘层；

在第二绝缘层的基础上沉积一硅层，使用第三掩模版曝光，然后显影和刻蚀形成有源层图形；

在有源层图形的基础上使用第四掩模版曝光，然后显影和刻蚀形成一接触孔；

在接触孔的基础上溅射氧化物导电层，使用第五掩模版曝光，然后显影和刻蚀形成氧化物导电层图形。

8、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成氧化物导电层图形的基础上沉积一第三绝缘层。

9、如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一金属层所用材料为AlNd、AI、Cu、MO、MoW、Cr中的一种或者为AlNd，AI、Cu、MO、MoW、Cr任意组合所构成的复合。

10、如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二金属层所用材料为Mo，MoW、Cr的一种或者为Mo，MoW、Cr任意组合所构成的复合。

11、如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料都为SiO2、SiNx、SiOxNy的一种或SiO2、SiNx、SiOxNy的任意组合所构成的复合。

12、如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一金属层图形为栅极、扫描线和公共电极线。

13、如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二金属层图形为数据线。

14、如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该氧化物导电层为透明导电层，其采用的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。

15、如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该氧化物导电层图形为像素电极和源极。