[发明专利]晶片抛光方法与晶片抛光设备

权利要求书

1.一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，其特征在于，包括以下步骤：

确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；

响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；

通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。

2.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于，可通过以下步骤确定晶片表面各点需蚀刻的厚度：

测定晶片表面各点的厚度；

计算所述各点厚度与规定达到的厚度之间的差值，从而确定需蚀刻的厚度。

3.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：所述离子或等离子蚀刻率通过离子或等离子类型，需蚀刻的材料，离子或等离子光束发生器的功率以及所述离子或等离子光束在晶片表面聚焦的光斑大小来确定。

4.如权利要求3所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：可通过在竖直方向移动所述离子或等离子光束发生器来调节所述离子或等离子光束的光斑大小，所述光斑的调节范围下于10mm。

5.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：所述离子或等离子光束在水平方向上固定，通过在水平方向上移动所述晶片，对晶片表面各点进行蚀刻。

6.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：所述离子或等离子光束为非反应离子或等离子束Ar、Ne、Kr或Xe。

7.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：所述离子或等离子光束为反应离子或等离子束CH₃、CF₄、SF₆、NF₃、N₂、O₂或BCl₃。

8.如权利要求1所述的离子或等离子抛光方法，其特征在于：通过反射计、偏振光椭圆率测量仪、超声波或X射线来测定所述晶片表面各点的厚度。

9.一种晶片抛光设备，其特征在于，包括：

离子或等离子光束发生器，用于产生离子或等离子光束对所述晶片进行蚀刻；

移动平台，用于放置所述晶片，并在蚀刻过程中进行移动；

控制器，与所述离子或等离子发生器与移动平台连接，响应需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间，并控制所述移动平台按照所述需蚀刻的时间进行移动。

10.如权利要求9所述的晶片抛光设备，其特征在于：所述晶片抛光设备还包括一晶片厚度测定器，与所述控制器相连接，用于测定待处理晶片表面各点的厚度，并反馈给所述控制器，由所述控制器计算所述各点厚度与规定达到的厚度之间的差值从而确定需蚀刻的厚度。