[发明专利]Mg2Si－Cu合金及其制备方法无效
| 申请号： | 200810034860.1 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101250657A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孙锋;张芳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22C29/18 | 分类号： | C22C29/18;C22C1/05 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mg sub si cu 合金 及其 制备 方法 | ||
1、一种Mg2Si-Cu合金，其特征在于：Cu占合金总重量的百分比为1％-20％，余量为Mg2Si。
2、根据权利要求1所述的Mg2Si-Cu合金，其特征是，所述Cu占合金总重量的百分比为5％-15％。
3、根据权利要求1或2所述的Mg2Si-Cu合金，其特征是，所述Cu以固溶形式，或者固溶形式和Cu-Mg-Si三元相的形式存在于Mg2Si基体中。
4、根据权利要求3所述的Mg2Si-Cu合金，其特征是，所述Cu-Mg-Si三元相，其占整个合金的重量百分比小于或者等于35％。
5、一种如权利要求1所述的Mg2Si-Cu合金的制备方法，其特征在于，将Mg2Si和铜粉混合，球磨得到纳米级粉体，或先球磨得到纳米级Mg2Si再和纳米铜粉混合，再将上述混合粉体通过快速烧结方法制备成块体材料，在此过程中Cu溶入Mg2Si基体中形成固溶体或固溶体和Cu-Mg-Si三元相。
6、根据权利要求5所述的Mg2Si-Cu合金的制备方法，其特征是，所述Mg2Si通过固态反应方法合成。
7、根据权利要求5所述的Mg2Si-Cu合金的制备方法，其特征是，所述快速烧结方法，是指：将制得的混合粉体置于石墨坩埚中，在800℃-860℃下进行放电等离子烧结。
8、根据权利要求5或7所述的Mg2Si-Cu合金的制备方法，其特征是，所述快速烧结方法，其真空烧结时施加20MPa-40MPa的压力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810034860.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
