[发明专利]抗差分功耗分析攻击的全定制先进密码算法的字节替换电路无效
| 申请号: | 200810034326.0 | 申请日: | 2008-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN101527628A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
| 发明(设计)人: | 韩军;李亮;曾晓洋;赵佳 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | H04L9/06 | 分类号: | H04L9/06;H03K19/0948 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆 飞;盛志范 |
| 地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抗差分 功耗 分析 攻击 定制 先进 密码 算法 字节 替换 电路 | ||
1、一种抗差分功耗分析攻击的全定制AES SubByte电路,其特征在于AES SubByte模块用下列基本单元实现:INV、AND2D1、AND3D1、XOR2D1和XOR3D1;其中INV是普通cmos的反相器,AND2D1、AND3D1、XOR2D1和XOR3D1是基于灵敏放大器逻辑基本单元,用流水线结构代替直接相连,采用的锁存器是基于灵敏放大器逻辑的锁存器。
2、根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述的灵敏放大器逻辑由灵敏放大器部分(11)、差分下拉网络(12)和第1nmos管(N3)组成;其中灵敏放大器部分(11)由第1pmos管(P1)、第2pmos管(P2)、第3pmos管(P3)、第4pmos管(P4)和第2nmos管(N1)、第3nmos管(N2)、第4nmos管M1组成,第2pmos管(P2)的D端和第2nmos管(N1)的D端、第3pmos管(P3)的D端和第3nmos管(N2)的D端分别相连,第1pmos管(P1)的S端、第2pmos管(P2)的S端、第3pmos管(P3)的S端和第4pmos管(P4)的S端都连接到电源VDD,第2nmos管(N1)的S端和第3nmos管(N2)的S端分别接在第1节点X和第2节点Y上;第1pmos管(P1)的D端、第2pmos管(P2)的D端和第3pmos管(P3)的G端相连,为第1个输出OUT;第3pmos管(P3)的D端、第4pmos管(P4)的D端和第2pmos管(P2)的G端相连,为第2个输出NOUT;第2pmos管(P2)的G端和第2nmos管(N1)的G端相连,第3pmos管(P3)的G端和第3nmos管(N2)的G端相连;第1pmos管(P1)的G端和第4pmos管(P4)的G端都接时钟CLK;第4nmos管M1的G端接VDD,第4nmos管M1的S端和第4nmos管M1的D端分别接在第1节点X和第2节点Y上;差分下拉网络(12)上端分别与第1节点X和第2节点Y连接,下端和第3节点Z相连;第1nmos管(N3)的D端连接到第3节点Z,第1nmos管(N3)的G端连接时钟CLK,第1nmos管(N3)的S端连接到地。
3、根据权利要求1所述的两输入灵敏放大器与门AND2D1由灵敏放大器部分(21)、差分下拉网络(22)和第9nmos管(N3)组成;其中灵敏放大器部分(21)和灵敏放大器逻辑原理图1中的灵敏放大器部分11结构相同;差分下拉网络(22)由第5nmos管(N4)、第6nmos管(N5)、第7nmos管(N6)和第8nmos管(N7)组成;第5nmos管(N4)的D端连到第4节点X,第5nmos管(N4)的S端与第6nmos管(N5)的D端相连,第6nmos管(N5)的S端连到第6节点Z,第7nmos管(N6)的D端连到第5节点Y,第7nmos管(N6)的S端连到第5nmos管(N4)的S端,第8nmos管(N7)的D端连到第5节点Y,第8nmos管(N7)的S端连到第6节点Z;第5nmos管(N4)的G端连到第1输入A、第6nmos管(N5)的G端连到第2输入B、第7nmos管(N6)的G端连到第3输入NA和第8nmos管(N7)的G端连到第4输入NB;第9nmos管(N3)的D端连接到第6节点Z,第9nmos管(N3)的G端连接时钟CLK,第9nmos管(N3)的S端连接到地。
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