[发明专利]液晶显示装置、像素结构及其驱动方法有效
申请号: | 200810034158.5 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101236343A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 沈奇奇;吴宾宾 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;G09G3/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置,更具体而言,涉及一种垂直配向(Verticalalignment)模式的液晶显示装置、像素结构及其驱动方法,可以改善液晶显示装置的视角。
背景技术
液晶显示器是当前平板显示装置中使用最为广泛的类型之一。液晶显示器通常包括两个基板:阵列基板和彩色滤光基板,以及介于两个基板之间的液晶层,这两个基板具有用于产生电场的像素电极和公共电极。液晶显示器通过将电压施加于电场产生电极以在液晶层中产生电场而显示图像。这个电场确定了液晶层中液晶分子的配向并控制入射光的偏振,从而控制透过彩色滤光基板上的偏光板后的光线的亮度,实现不同的显示阶调。
近来,在不同类型的液晶显示器中,具有垂直配向模式的液晶显示器由于其高的对比度和比较宽的参考视角得到了很广泛的应用。在垂直配向模式中,液晶分子的排列方式是:在没有电场在像素电极和公共电极之间产生时,液晶分子主轴垂直于上下基板。正如此处所使用的,“参考视角”表示对应于1∶10的对比度的视角或者在灰度级之间用于亮度反转的限制角。
在具有垂直配向模式的液晶显示器中,为了加大视角,可在像素电极和公共电极中形成切口,此外,可在像素电极和公共电极中形成突起体,以加宽参考视角。由于切口和突起体可用于控制液晶分子的倾斜方向,因此通过利用切口和突起体,能够使液晶分子在期望的方向上倾斜。这样可以确保得到比较宽的视角。
尽管具有垂直配像模式的液晶显示装置提供了宽视角,但存在的问题在于,与其前可见度相比,其侧可见度劣化。例如,在设置有切口的垂直配向型液晶显示装置的像素电极图案中,液晶显示装置侧面中的图像变得更亮。在更严重的情况下,高灰度级之间的亮度差异会变得很小,引起图像失真,使得视角变小。
已经提出了各种技术用于解决上述视角的问题,包括以下技术:通过将一个像素分成两个像素,将这两个子像素以电容耦合、并且通过将电压直接施加到一个子像素且由于电容耦合减小另一子像素中的电压而向这两个子像素提供不同的电压,来提供不同的透射率,从而提高视角。
但是由于不能精确调节两个子像素的透射率,再加上由于其中一个子像素无法达到最高Gamma电压,所以其亮度会下降,从而降低了对比度,又会影响视角,所以以上技术在实践上不如在理论上有效。这个技术的另一个问题在于必须添加用于电容耦合的导电部件,所以会降低开口率。
所以在这个技术的基础上又提出了另外一种技术:虽然也是把一个像素分成两个子像素,但是这个技术把栅线的数量加倍了,两个子像素分别由两个开关器件来预定像素电极电压,这样的话两个子像素的像素电极电压可以精确控制,可以达到比较好的改善视角的效果。但是由于每一条栅线由独立的栅线驱动IC驱动,这样的话驱动IC的数量需要加倍,大大地增了成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种既能得到比较好的改善视角的效果,又能不用使得栅线驱动电路加倍,从而不会大大增加成本的液晶显示装置、像素结构及其驱动方法。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种像素结构,包括第一扫描线、第二扫描线、数据线、第一薄膜晶体管、第一像素电极、第二薄膜晶体管、第二像素电极、第三薄膜晶体管、电荷共享电容以及第四薄膜晶体管。第一扫描线、第二扫描线和数据线、第一至第四薄膜晶体管、第一和第二像素电极以及电荷共享电容均配置于基板上。其中,第一薄膜晶体管电性连接至第一扫描线与数据线,且第一薄膜晶体管具有一第一漏极,第一像素电极电性连接至该第一漏极。第二薄膜晶体管电性连接至第一扫描线与数据线,且第二薄膜晶体管具有第二漏极,第二像素电极电性连接至该第二漏极。第三薄膜晶体管电性连接至第二扫描线与数据线,且第三薄膜晶体管具有第三漏极,电荷共享电容电性连接至该第三漏极。第四薄膜晶体管的源极和漏极其中一个连接第二像素电极,另一个连接电荷共享电容,且第四薄膜晶体管的栅极连接至一辅助扫描线。
在上述的像素结构中,辅助扫描线为驱动次序在后的另一像素结构的第一扫描线。
在上述的像素结构中,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是邻近于第一扫描线和数据线的交叉部位。另外,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管具有一共用源极。
在上述的像素结构中,第三薄膜晶体管和薄膜晶体管是邻近于第一扫描线和数据线的交叉部位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810034158.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于装卸和定位的裁切工装
- 下一篇:一种用于各种管材切割的多功能切割机