[发明专利]用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法

权利要求书

1.一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，其特征在于：

腐蚀剂的配比为：H₂O∶HCl∶HNO₃∶HF∶K₂Cr₂O₇∶CrO₃＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g；所说的II-VI族半导体材料为Zn_yCd_1-yTe衬底外延生长的Hg_1-xCd_xTe薄膜材料和Zn_yCd_1-yTe衬底体材料。

2.利用权利要求1所述的一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂的腐蚀方法，其特征在于步骤如下：

§A.被腐蚀样品的预处理

将被腐蚀样品放在温度为沸腾的三氯乙烯中去除蜡和油脂；然后用氮气枪吹样品表面的灰尘和碎屑；最后用0.2％Br-CH₂OH腐蚀液腐蚀10秒钟，去除样品表面的氧化层；

§B.位错腐蚀

将被腐蚀样品放在镂空的石英吊篮中，每隔10秒用手控制将吊篮浸入、提出上述配制的腐蚀剂中4-5次，重复这一过程2-5分钟；

§C.被腐蚀样品的后处理

用大流速的去离子水冲洗被腐蚀样品，时间大于5分钟，以保证把腐蚀液彻底冲洗干净以防氧化，然后用氮气枪吹样品表面，直到把样品表面的水吹干。