[发明专利]一种可降低漏电流的氮化硅制作方法

权利要求书

1.一种可降低漏电流的氮化硅制作方法，用于在一制作有金属层的半导体器件上制作氮化硅，其在一具有反应腔的等离子增强化学气相沉积设备中进行，该等离子增强化学气相沉积设备通过气体质量流量控制器控制反应气体进入反应腔，该反应腔中设置有与射频电源相连接的两电极，其特征在于，该方法包括以下步骤：a、通过预抽工艺去除气体质量流量控制器与反应腔间残留的反应气体；b、通过快速升压工艺使反应腔压力在第一预设时段内稳定至预设沉积压力；c、通过气体质量流量控制器向反应腔中通入氨气且开启射频电源进行氨气处理工艺，其中，反应腔中两电极间的间距为14至15厘米；d、进行预沉积和沉积工艺以在半导体器件的金属层上生成氮化硅。

2.如权利要求1所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法中，其特征在于，该气体质量流量控制器与反应腔间至少设置有一截止阀，该气体质量流量控制器具有一内部阀门，该内部阀门在反应气体流量为0时最长能开启一第二预设时段。

3.如权利要求2所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法中，其特征在于，在步骤a，该预抽工艺包括以下步骤：a1、在反应腔与截止阀间设置一预抽抽气装置；a2、至少开启与该预抽抽气装置直接相连的截止阀；a3开启该预抽抽气装置进行一第三预设时段的抽气；a4、开启剩余的截止阀和该气体质量流量控制器；a5、开启该预抽抽气装置进行该第二预设时段的抽气；a6、关闭所有截止阀和该气体质量流量控制器。

4.如权利要求3所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，该第二和第三预设时段分别为5秒和10秒。

5.如权利要求1所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，该反应腔上还通过一节流阀与一尾气抽气装置相连，通过调节节流阀来控制反应腔的压力，通过该尾气抽气装置来将反应腔的尾气抽出。

6.如权利要求5所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，该节流阀具有开启角度控制模式和压力控制模式，该节流阀在该预设沉积压力时对应一预设开启角度，在开启角度控制模式下，用户设定一开启角度，该节流阀在3至5秒内达到所设定开启角度，在压力控制模式下，用户设定一反应腔压力，该节流阀将反应腔压力稳定至所设定的反应腔压力。

7.如权利要求6所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，在步骤b中，该快速升压工艺包括以下步骤：b1、将节流阀设定在开启角度控制模式下，且将其开启角度设定为该预设开启角度；b2、节流阀经3至5秒达到该预设开启角度；b3、将节流阀更改为压力控制模式，且将反应腔压力设定为该预设沉积压力；b4、节流阀将反应腔压力稳定至该预设沉积压力。

8.如权利要求6所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，该预设沉积压力为558.6帕斯卡，该预设开启角度为38.6度。

9.如权利要求1所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，在步骤c中，该射频电源的功率为120至150瓦，氨气处理工艺的时间为8至10秒。

10.如权利要求1所述的可降低漏电流的氮化硅制作方法，其特征在于，在步骤d中，该射频电源的功率为450瓦，反应腔中的两电极间的间距为14至15厘米。