[发明专利]用于相变存储器的过渡层有效
| 申请号： | 200810032862.7 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101226989A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 过渡 | ||
1.一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10-6欧姆米和1016欧姆米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。
2.按权利要求1所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于上电极与相变材料之间、位于下电极与相变材料之间或者在上电极和下电极与相变材料之间。
3.按权利要求1或2所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层的厚度＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。
4.按权利要求1或2所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层为单层结构或多层结构。
5.按权利要求1所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层材料为半导体、金属合金或介质材料。
6.按权利要求5所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层材料为多晶锗薄膜、非晶硅薄膜或氧化硅薄膜。
7.按权利要求4所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的多层结构的过渡层由锗、硅和碳组成。
8.按权利要求1或2所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层材料高于相变材料的熔点。
9.按权利要求8所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层材料熔点在600℃以上。
10.按权利要求1或2所述的用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层使相变存储器在编程过程中相变材料中的最高温度区域从相变材料的中心区域向电极和相变材料的界面方向移动。
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