[发明专利]电磁分离制备Al/Mg2Si功能梯度材料的方法无效
| 申请号： | 200810032733.8 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101234419A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 葛超;刘冬;姚忻 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B22D27/02 | 分类号： | B22D27/02;C22F3/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 分离 制备 al mg sub si 功能 梯度 材料 方法 | ||
1、一种电磁分离制备Al/Mg2Si功能梯度材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，将铸型放在电磁铁两极中间，并将两个直流电极插入铸型中；
第二步，开通电磁铁电源，使电磁铁产生磁场，将过共晶Al/Mg2Si合金熔体浇入铸型中，并同时开通直流电源，使过共晶Al/Mg2Si合金熔体中产生直流电流；
第三步，在电磁场和直流电流的影响下，过共晶Al/Mg2Si合金熔体中的初生相将受到电磁挤压力的作用而迁移，当合金完全凝固时，切断电磁铁电源和直流电源，取出即得到Al/Mg2Si功能梯度材料。
2、根据权利要求1所述的Al/Mg2Si功能梯度材料的制备方法，其特征是，所述的第一步中，铸型的温度为200℃～600℃。
3、根据权利要求1所述的Al/Mg2Si功能梯度材料的制备方法，其特征是，所述的第二步中，电磁铁产生的电磁力范围为0.6×104N/m3～3×104N/m3。
4、根据权利要求1所述的Al/Mg2Si功能梯度材料的制备方法，其特征是，所述的第三步中，过共晶Al/Mg2Si合金熔体浇注温度为650℃～850℃。
5、根据权利要求1所述的Al/Mg2Si功能梯度材料的制备方法，其特征是，所述的第三步中，开通直流电源的大小为20A。
6、根据权利要求1或5所述的Al/Mg2Si功能梯度材料的制备方法，其特征是，所述的第三步中，直流电流的通电时间为10~15分钟。
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