[发明专利]一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810032275.8 申请日: 2008-01-04
公开(公告)号: CN101215173A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 张国军;吴雯雯;阚艳梅;王佩玲 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/645 分类号: C04B35/645;C04B35/569;C04B35/56;C04B35/58
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振黡
地址: 200050上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 zrb sub sic zrc 陶瓷材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于通过调节工艺参数,利用升温过程引发的粉体之间的自蔓延反应,通过热压反应烧结的方法,在1500℃-1700℃温度下制备的,具体步骤是:

(1)以锆粉、硅粉和碳化硼粉为起始原料,按(2+x)Zr+(1-x)Si+B4C=2ZrB2+(1-x)SiC+xZrC,0≤x≤0.5反应式称量,以丙酮为溶剂,在行星球磨机中混合浆料,通过旋转蒸发烘干得到不同组份的混合粉料;

(2)将步骤1制得的混合粉料,置于石墨模具中,在真空或氩气气氛下进行分阶段热压反应烧结;

所述的分阶段热压反应烧结是(a)以10-100℃/min速率升至900℃-950℃,混合粉料之间发生自蔓延反应;(b)反应发生后以10℃/min升温速率升至1420℃-1480℃,保温2-4hr;(c)保温结束后,施加20MPa-30MPa的压力,然后升温至1500℃-1700℃。

2.按权利要求1所述的一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于:

(1)所述的锆粉的纯度为98%,粒径为20-50μm;

(2)所述的硅粉的纯度为99%,粒径为20-50μm;

(3)所述的碳化硼粉的纯度为99%,粒径为≤2μm。

3.按权利要求1所述的一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述的行星球磨机的转速为500-600转/分钟,球磨时间为5-10小时。

4.按权利要求1所述的一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述的石墨模具的内壁表面涂覆BN。

5.按权利要求1所述的一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于1500℃-1700℃热压反应烧结的保温时间为2-4h。

6.按权利要求1-5中的任意一项所述的一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于制备的ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料中ZrC的体积百分含量在0-15%之间。

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