[发明专利]二硅化钼基复合结构材料及其制备方法

权利要求书

1、一种二硅化钼基复合结构材料，以MoSi₂为基体，其特征是：Si₃N₄颗粒和SiC晶须含量分别占材料的10～30vol％，Si₃N₄颗粒和SiC晶须的总含量占材料的20～50vol％，MoSi₂为余量。

2、按照权利要求1所述的二硅化钼基复合结构材料，其原料特征是：Si₃N₄颗粒粒径小于2μm，SiC晶须直径小于0.5μm，且其长径比必须大于10∶1。

3、一种制备如权利要求1所述二硅化钼基复合结构材料的方法，其特征是包括以下步骤：

(1)将Si₃N₄颗粒含量为10～40vol％，Si₃N₄颗粒和SiC晶须的总含量为20～50vol％的二硅化钼混合粉末放入球磨罐中，加入酒精，以球料比1∶1～10∶1球磨混料8～24小时；

(2)将球磨后的混合粉末干燥，过200目筛；

(3)将过筛之后的混合粉末放入石墨热压磨具中，放入热压烧结炉中进行热压烧结，具体工艺为：以15～25℃/min的升温速率加热到1000～1300℃，再以5～15℃的升温速度加热到1600～1800℃，保温30～60min，然后随炉冷却，所加压力为20～25MPa。

4、按照权利要求3所述的二硅化钼基复合结构材料的制备方法，其特征在于：热压烧结时的气氛为真空或惰性气氛。