[发明专利]用于光学加工的水基磁流变抛光液及其制备方法

权利要求书

1.一种用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于它由下述体积组分组成：

水基复配载液25％～75％和添加组分25％～75％，

其中，所述的添加组分为羰基铁粉、纳米铁粉和抛光粉，按下述体积百分比分配：

羰基铁粉：80％～90％，

纳米铁粉：4％～10％，

抛光粉：4％～10％，

所述的水基复配载液包括下述按体积百分比计的组分，

去离子水：85％～90％，

分散剂：3％～5％，

润湿剂：2％～5％，

和触变剂：3％～5％；

所述分散剂为氨基羧酸盐，或有机磷酸盐；所述羰基铁粉的平均粒径分布为1～10μm，所述纳米铁粉的平均粒径分布为10～50nm，所述抛光粉的平均粒径分布在0.1μm～5μm之间，抛光粉成份为氧化铈、氧化铝或金刚石微粉。

2.根据权利要求1所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于所述水基复配载液还包括按体积百分比计的下述组分：pH值调节剂0.1％～0.5％、抗氧化剂0.1％～0.5％和消泡剂0.1％～0.5％；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的pH值调节剂；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的抗氧化剂；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的消泡剂；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的pH值调节剂和0.1％～0.5％的抗氧化剂；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的pH值调节剂和0.1％～0.5％的消泡剂；

或所述水基复配载液还包括按体积百分比计0.1％～0.5％的抗氧化剂和0.1％～0.5％的消泡剂。

3.根据权利要求1或2所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于所述氨基羧酸盐为乙二胺四乙酸盐或二乙烯三胺五乙酸盐或氨三乙酸钠，所述有机磷酸盐为乙二胺四甲基磷酸盐或二乙烯三胺五甲基磷酸盐或胺三甲基磷酸盐。

4.根据权利要求1或2所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于所述润湿剂为丙三醇。

5.根据权利要求1或2所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于所述触变剂为羧甲基纤维素钠，或为有机膨润土。

6.根据权利要求2所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液，其特征在于所述pH值调节剂为碳酸钠或硼砂，所述抗氧化剂为亚硝酸钠或苯甲酸钠，所述消泡剂为矿物油或石蜡。

7.一种如权利要求1所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液的制备方法，其特征在于制备步骤为：

步骤1、按去离子水85％～90％，触变剂3％～5％的体积比例，将触变剂与水混合均匀，在室温下搅拌1～2小时，得悬浮液；

步骤2、将分散剂按照水基复配载液总体积比例的3％～5％加入到步骤1得到的悬浮液中，在室温下搅拌0.5～1小时；

步骤3、将润湿剂按照水基复配载液总体积比例的2％～5％加入到步骤2得到的悬浮液中，在室温下搅拌0.5～1小时，得水基复配载液；

步骤4、按添加组分25％～75％，水基复配载液25％～75％的体积比例，其中添加组分的体积配比为：羰基铁粉占80％～90％，纳米铁粉占4％～10％，抛光粉占4％～10％；将添加组分与水基复配载液混合，加入球磨罐中，按1∶10质量比加入钢球，以20～30转/分钟的速度球磨3～5小时，分离出钢球，得到水基磁流变抛光液。

8.根据权利要求7所述的用于光学加工的水基磁流变抛光液的制备方法，其特征在于在所述步骤3与步骤4之间，

加入步骤3A：按照水基复配载液总体积比例的0.1％～0.5％加入抗氧化剂，在室温下搅拌1～2小时；

或加入步骤3B：按照水基复配载液总体积比例的0.1％～0.5％加入消泡剂，在室温下搅拌0.5～1小时；

或加入步骤3C：按照水基复配载液总体积比例的0.1％～0.5％加入pH值调节剂，在室温下搅拌1～2小时，将液体的pH值调节到9.5～10.5；

或加入上述步骤3A之后加入步骤3B；

或加入上述步骤3A之后加入步骤3C；

或加入上述步骤3B之后加入步骤3C；

或加入上述步骤3A之后加入步骤3B，然后再加入步骤3C。