[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1、一种发光二极管芯片的制造方法，包括：

制备衬底，在该衬底的上表面上形成多个凹凸微结构；

在该衬底的上表面上形成缓冲图案层，该缓冲图案层具有多个分别与衬底上的所述凹凸微结构相对应的方向相反的凹凸微结构；

在该缓冲图案层上形成n型半导体层；

在该n型半导体层的一部分上形成发光层；

在该发光层上形成p型半导体层；以及

在该n型半导体的另一部分和该p型半导体层上分别形成n电极和p电极。

2、根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底上具有多个凸起的微结构，所述缓冲图案层具有多个与之相对应的凹陷的微结构。

3、根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底上具有多个凹陷的微结构，所述缓冲图案层具有多个与之相对应的凸起的微结构。

4、根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述凹凸微结构的平面形状为圆形或正六边形。

5、根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中每一个所述凹凸微结构的中心点与其相邻的前后左右所述凹凸微结构的中心点之间的距离为0.3μm至9μm。

6、根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述凹凸微结构的侧壁相对于所述衬底的上表面的法线的角度大于等于0度并小于90度。

7、根据权利要求6所述的方法，其中所述凹凸微结构的高度为0.2μm至1.5μm。

8、根据权利要求6所述的方法，其中所述圆形的最大直径为0.2μm至10μm。

9、根据权利要求6所述的方法，其中所述正六边形的最大边长为0.15μm至9μm。

10、根据权利要求1至3任一项所述所述的方法，其中在衬底上形成多个凹凸微结构的方法包括：

在该衬底上形成光致抗蚀剂；

采用光刻将该光致抗蚀剂图形化以形成期望的图案；以及

采用蚀刻方法将该光致抗蚀剂的图案转移到该衬底上。

11、根据权利要求10所述的方法，其中该蚀刻方法包括耦合等离子体反应离子蚀刻、化学溶液蚀刻。

12、根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中该衬底的材料选自硅、蓝宝石、碳化硅或氧化锌。

13、根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中形成该缓冲图案层的方法包括：

在该衬底上沉积缓冲层；

采用光刻将该光致抗蚀剂图形化以形成期望的图案；以及

采用蚀刻方法将该光致抗蚀剂的图案转移到该缓冲层上以形成该缓冲图案层。

14、根据权利要求13所述所述的方法，其中沉积缓冲层的方法包括物理气相沉积、有机金属化学气相沉积、分子束外延、卤素气相沉积。

15、根据权利要求13所述所述的方法，其中该缓冲层的厚度为0.5μm。

16、根据权利要求13所述所述的方法，其中该缓冲图案层的材料选自氮化铝、氮化镓、氮化铟镓或氧化锌。

17、根据权利要求13所述所述的方法，其中该蚀刻方法包括耦合等离子体反应离子蚀刻、化学溶液蚀刻。

18、根据权利要求1至3任一项所述所述的方法，还包括在形成该p电极之前，在该p型半导体层上形成透明电极层。

19、一种发光二极管芯片，包括：

衬底，具有多个形成于该衬底的上表面上的凹凸微结构；

缓冲图案层，形成于该衬底的上表面上，该缓冲图案层具有多个分别与衬底上的所述凹凸微结构相对应的方向相反的凹凸微结构；

n型半导体层，形成于该缓冲图案层上；

发光层，形成于该n型半导体层的一部分上；

p型半导体层，形成于该发光层上；以及

n电极和p电极，分别形成于该n型半导体的另一部分和该p型半导体层上。

20、根据权利要求19所述的发光二极管芯片，其中所述衬底上具有多个凸起的微结构，所述缓冲图案层具有多个与之相对应的凹陷的微结构。