[发明专利]电解电容器用负极箔的制备工艺有效
| 申请号: | 200810029811.9 | 申请日: | 2008-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN101425379A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
| 发明(设计)人: | 江国东 | 申请(专利权)人: | 东莞市东阳光电容器有限公司 |
| 主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/045;C23G1/00;C23C14/26;C23C14/16 |
| 代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 523853广东省东莞市广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电解电容 器用 负极 制备 工艺 | ||
1.电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:
a、箔片清洗:将箔片置于0.2~0.5mol/L的氢氧化钠或磷酸溶液中清洗10~60秒;
b、镀钛金属膜:采用电子束蒸镀的方式在箔片表面沉积一层钛金属膜;
c、浸渍:将经过镀钛金属膜的箔片浸入硅烷偶联剂溶液中,浸渍时间为8~20秒;
d、干燥固化:将浸渍后的箔片进行干燥固化处理,处理温度为60~100℃,处理时间为10~60分钟,硅烷偶联剂在干燥固化过程中发生聚合反应,形成一层硅胶保护层,在镀有钛金属膜的箔片外表面形成一层硅胶保护层,即形成电解电容器用负极箔。
2.根据权利要求1所述的电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:所述的步骤b具体为:在真空镀膜设备中进行,采用e型电子枪,真空气压在0.01~0.1Pa,镀上一层钛金属膜,钛金属沉积速率为0.05-0.1μm/s。
3.根据权利要求2所述的电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:所述钛金属镀膜层厚度为0.5-1μm。
4.根据权利要求1所述的电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:所述的硅烷偶联剂为水溶性的硅烷偶联剂,其在水中溶解度大于1%,浓度为0.1%~1%。
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