[发明专利]一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法

权利要求书

1.一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

a、将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中进行化成处理；

b、将经过步骤a化成处理的化成箔置于硅酸钠溶液中浸泡处理，然后纯水清洗；

c、将经过步骤b的化成箔置于己二酸铵溶液中进行再化成处理；

d、将经过步骤c再化成的化成箔进行清洗并在空气氛围中进行热处理；

e、将经过步骤d热处理的化成箔置于己二酸铵与氨基三甲叉膦酸的混合溶液中再次进行化成处理；

f、将经过步骤e的化成箔再次进行清洗并在空气氛围下热处理；

g、将经过步骤f的化成箔在磷酸二氢铵溶液中浸泡处理；

h、将经过步骤g的化成箔洗净放入100～150℃的干燥箱中烘干成为复合氧化膜低压化成箔。

2.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述己二酸铵溶液浓度0.1～1.2mol/L，温度60～95℃。

3.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述步骤b中的硅酸钠溶液中浸泡处理的温度30～60℃，硅酸钠溶液浓度为0.01～0.02mol/L，处理时间2～6分钟。

4.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述步骤d和步骤f的热处理温度为450～550℃，处理时间为1.5～3.0分钟。

5.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述步骤e中的己二酸铵与氨基三甲叉膦酸混合溶液，其配比为：氨基三甲叉膦酸：1.0×10^-3～20×10^-3mol/L，己二酸铵：0.1～1.2mol/L，混合温度为60～95℃。

6.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述步骤g中的磷酸二氢铵浸泡处理，磷酸二氢铵浓度为0.05～0.25mol/L，温度为30～90℃，处理时间1～5分钟。

7.根据权利要求1所述的一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法，其特征在于：所述步骤a中的化成处理化成方法包括一级、二级、三级或四级的化成步骤，每级电压分配标准如下，

一级化成的第一级电压为化成最高电压的100％；

二级化成的第一级电压为化成最高电压的50％，第二级电压为化成最高电压的100％；

三级化成的第一级电压为化成最高电压的40％，第二级电压为化成最高电压的80％，第三级电压为化成最高电压的100％；

四级化成的第一级电压为化成最高电压的35％，第二级电压为化成最高电压的60％，第三级电压为化成最高电压的80％，第四级电压为化成最高电压的100％。