[发明专利]一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法

权利要求书

1.一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，包括如下步骤：

a.将低压腐蚀箔在己二酸铵溶液中进行化成处理，化成电压有二级或三级两种，最高化成电压为20V；

b.将经过步骤a处理的箔片在亚磷酸中浸泡处理，然后纯水清洗；

c.将经过步骤b处理的箔片在己二酸铵溶液中按照步骤a的最高化成电压进行化成处理；

d.将经过步骤c处理的箔片进行清洗并在空气氛围中进行高温热处理；

e.将经过步骤d处理的箔片在己二酸铵和磷酸二氢氨的混合溶液中再次进行化成处理；

f.将经过步骤e处理的箔片在ATMP溶液中用步骤a的最高化成电压进行化成处理；

g.将经过步骤f处理的箔片再次进行清洗并在空气氛围下热处理。

2.如权利要求1所述的一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，其特征在于：所述己二酸铵溶液是己二酸铵的水溶液，由纯水与己二酸铵配制而成，纯水电阻率≥2MΩ.cm；己二酸铵为电容级，浓度为0.1-1.2mol/L，温度为60-95℃。

3.如权利要求1所述的一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，其特征在于：所述亚磷酸纯度为工业纯；用亚磷酸浸泡处理的温度范围为40-70℃；浓度范围为0.002-0.08mol/L；时间为1-6分钟。

4.如权利要求1所述的一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，其特征在于：所述空气氛围下的热处理，其温度为450-550℃，时间为1.5-3.0分钟。

5.如权利要求1所述的一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，其特征在于：所述己二酸铵与磷酸二氢氨混合溶液，其配比为：磷酸二氢氨：1.0x10^-5-1.0x10^-6mol/L，己二酸铵：0.1-1.2mol/L，温度为60-95℃。

6.如权利要求1所述的一种低压用铝电解电容器化成箔的制造方法，其特征在于：所述的ATMP溶液为氨基三亚甲基三膦酸溶液，浓度为1.0x10^-3-1.5×10^-4mol/L，温度为20-60℃，处理时间1-5分钟。