[发明专利]大功率金属半导体场效应发光晶体管

权利要求书

1、一种大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于在外延片的衬底(7)上包括中心区的n型电子发射层(9)，边缘区的n型电子发射层(6)，n型电子发射层的中心区(9)与边缘区(6)之间是闭合的栅极区(8)，中心区的n型电子发射层(9)上面生长着量子阱层(5)，量子阱层(5)上生长着p型空穴产生层(4)，p型空穴产生层(4)的上面设置着漏极(3)，在n型电子发射层的边缘区(6)上设置着源极(1)，栅极区(8)上面设置着栅极(2)。

2、根据权利要求1所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述栅极区(8)是圆形的或者椭圆形的。

3、根据权利要求1所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述栅极区(8)是方形的。

4、根据权利要求3所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述栅极区(8)是正方形的。

5、根据权利要求4所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述栅极(2)是正方形的。

6、根据权利要求5所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述源极(1)是正方形的。

7、根据权利要求6所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述漏极(1)设置于p型空穴产生层(4)的中心。

8、根据权利要求6所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述漏极(1)包括两个，对称设置于p型空穴产生层(4)之上，对称中心为p型空穴产生层的中心。

9、根据权利要求1所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于源极(1)和栅极(2)均环绕着量子阱层(5)。

10、根据权利要求1至9任一项所述的大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于所述栅极区(8)的高度小于n型电子发射层(6，9)的高度。