[发明专利]带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 200810025338.7 | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101271932A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 宫昌萌;倪志春;赵建华;王艾华 | 申请(专利权)人: | 中电电气(南京)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 程化铭 |
地址: | 211100江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 腐蚀 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1、一种带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池,表面带有金属电极层和Pn结层,电池表面带有热斑,其特征是:在热斑的周围设有腐蚀环,腐蚀环将金属电极隔断。
2、根据权利要求1所述的带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池,其特征是:所述腐蚀环的深度透过Pn结。
3、一种带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池的制备方法,其工艺步骤如下:
A、找出带有热斑的硅太阳能电池表面热斑的位置和大小并在热斑周围作出标记;
B、用能腐蚀银栅线和硅的腐蚀液体与耐酸腐蚀的粉末配制腐蚀浆料;
C、将腐蚀浆料涂于标记好的热斑周围,放置数分钟,将热斑周围的电极腐蚀掉,形成腐蚀环;
D、清除电池表面的腐蚀浆料。
4、根据权利要求3所述带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池的制备方法,其特征是:步骤C为:将腐蚀浆料涂于标记好的热斑周围,放置数分钟,将热斑周围的电极及Pn结腐蚀掉,形成腐蚀环。
5、根据权利要求3或4所述带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池的制备方法,其特征是:所述配制腐蚀浆料,是将50%的HF与30%的HNO3按体积比值0~0.9混合制成腐蚀液,将耐酸腐蚀的高分子聚合物粉体倒入腐蚀液中混合,耐酸腐蚀的高分子聚合物粉体与腐蚀液的配比为:0.5g/mL~10g/mL。
6根据根据权利要求5所述带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池的制备方法,其特征是:所述耐酸腐蚀的高分子聚合物为:聚乙烯、特氟龙、聚乙烯蜡或耐酸腐蚀的树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的