[发明专利]一种发光二极管制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管制作工艺，属于LED技术领域。

背景技术

目前LED(发光二极管)芯片有AlGaInP发光二极管(四元LED)和GaN发光二极管(蓝光LED)之分，四元LED的大体结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，电流从P电极流入，N电极流出，导致发光。目前AlGaInP发光二极管(四元LED)有金电极和铝电极之分。对于铝电极制程，一般在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上先做层底金合金、开图，在一定温度下合金，使金属与外延片之间形成较好的接触，然后背面研磨至一定厚度后蒸镀金属金锗作为N电极。然后再在正面底金合金上做厚铝，光刻形成P电极。

目前铝电极制程有以下缺点：一是由于N电极采用金属金锗，为了使金属金锗与与外延片之间形成较好的接触，一定温度条件下需要在外延片的衬底上做层合金，因而工序复杂，无形中增加成本和工时，二是因外延片在蒸镀金属金锗作为N电极前需研磨减薄，研磨减薄的后的外延片机械强度较差，而后续工艺容易导致破片，造成生产过程中的损失，增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的是为了克服AlGaInP发光二极管铝电极LED制程中所存在上述的工序复杂、无形中增加成本和工时，尤其是背面研磨减薄后机械强度较差、后续动作容易导致破片的缺点，提供在做N电极前无需合金做欧姆接触，工艺相对简单，可提高生产效率，降低生产成本的一种发光二极管制作工艺

本发明的目的是通过以下技术方案实现的，一种发光二极管制作工艺，其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金，其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝，开图光刻形成P电极，然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底，最后在衬底上蒸镀N型导电物质形成N电极。

所述的N型导电物质为氧化铟锡。

所述的蒸镀在ITO蒸镀机中进行，蒸镀条件：P为1A/S，温度210-220℃，真空度10×10^-6，氧流量为10sccm。

本发明为克服现有铝电极LED制程中所存在若干缺点，以氧化铟锡N型导电物质做发光二极管的N电极，无需合金便与外延片具有较好接触，这样就使得可以在做完厚铝开图光刻形成P电极后，再对衬底研磨减薄做N电极，避开了原先做N电极前需合金而使铝硬化的问题，本发明一方面能缩短四元LED制作的工时，节约成本，另一方面可减少制程中的破片问题，便于企业生产，有利于提高产品质量和生产效率，降低生产成本和提高企业经济效益。

附图说明

图1为本发明外延片做底金后的截面结构放大示意图；

图2为本发明在外延片做完P电极刻蚀后的截面结构放大示意图；

图3为做完P电极的芯片减薄后镀N电极的截面结构放大示意图；

图中，1底金合金，2窗口层，3发光区，4衬底，5铝金属层，6 N电极。

具体实施方式

结合附图和实施例进一步说明本发明，如图3所示，本发明由底金合金1，窗口层2(GaP)，发光区3，衬底4，铝金属层5，N电极6构成。制作工艺依次是在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金1，在底金1上镀铝金属层5，开图光刻形成P电极，然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底4，最后在衬底4上蒸镀N型导电物质形成N电极6；N型导电物质为氧化铟锡；蒸镀在蒸镀机中进行，蒸镀条件：P为1A/S，温度210-220℃，真空度10×10，氧流量为10sccm。

如图1所示，外延片上先做层底金1(如AuBe/Au)，在一定的温度下合金，底金合金做欧姆接触，然后镀厚铝，开图光刻，形成P电极。

如图2所示，外延片做完P电极刻蚀，