[发明专利]绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法

权利要求书

1.一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于包 括以下步骤：

(1)提供一金属基材；

(2)将金属基材进行前处理，以使金属基材的表面清洁；

(3)将经前处理的金属基材配置于一真空腔体内；

(4)将惰性气体通入该腔体中，启动溅镀不锈钢靶材，进行离子冲击并植入不锈 钢；

(5)同步调整不锈钢靶材的电流密度及基板偏压，关闭不锈钢靶材的电流；

(6)将惰性气体通入该腔体中，启动溅镀铝靶材，并逐步通入氮气，生成氮化铝 薄膜；

(7)于生成有氮化铝薄膜的金属基材的外层溅镀上金属导电层与金属防护层；

(8)抗蚀刻膜遮罩电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻膜；

(9)印刷液态感光防焊油墨。

2.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基材的材质为不锈钢。

3.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基材的材质为铜。

4.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基材在进入腔体前已经过前处理，前处理包括脱脂， 酸洗，清洗。

5.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(3)中腔体内的气压为10^-5torr。

6.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(4)中腔体内的气压维持在1～3x10^-3torr。

7.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(6)中腔体内惰性气体的气压维持在1～3x10^-3torr，氮气 的气压维持在1～3x10^-3torr。

8.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：启动溅镀不锈钢靶材时，需将基板负偏压控制在-300～ -600Volt，并将不锈钢靶材的电流密度控制在0.1～1W/cm²，进行离子冲击并植 入不锈钢的时间为3～10min。

9.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：关闭不锈钢靶材的电流前1～3min，需将不锈钢靶材的电流密 度控制在5～15W/cm²，基板偏压调整在20～60Volt。

10.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：通入氮气前1～3min，需将基板负偏压调整至20～60Volt， 并将铝靶材的电流密度控制在5～15W/cm²。

11.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：当氮化铝薄膜层的厚度为3～5μm时，关闭铝靶材的电流。

12.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(7)中溅镀金属导电层的步骤包括，将生成有氮化铝薄膜 的金属基材置入一真空腔内，抽真空至10^-5torr后，通入氩气维持在1～ 3x10^-3torr，启动基板负偏压在-300～-600Volt，此时启动溅镀铜靶材，控制溅 镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm²，进行镀铜，铜膜厚度控制在0.5～5μm。