[发明专利]绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法

权利要求书

1.一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于包 括以下步骤：

(1)提供一金属基材；

(2)将金属基材进行前处理，以使金属基材的表面清洁；

(3)将经前处理的金属基材配置于一真空腔体内；

(4)将惰性气体通入该腔体中，启动溅镀铝靶材，进行离子冲击并植入铝；

(5)调整铝靶材的电流密度及基板偏压，并逐步通入氮气，生成氮化铝薄膜， 关闭不锈钢靶材的电流；

(6)于生成有氮化铝薄膜的金属基材的外层溅镀上金属导电层与金属防护 层；

(7)抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻 膜；

(8)印刷液态感光防焊油墨。

2.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基材的材质为铝合金。

3.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基材在进入腔体前已经过前处理，前处理包括脱脂， 酸洗，清洗。

4.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(3)中腔体内的气压为10^-5torr。

5.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(4)中腔体内的气压维持在1～3×10^-3torr。

6.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(4)中基板负偏压控制在-300～-600Volt，铝靶材的电 流密度控制在0.1～1W/cm²，进行离子冲击并植入铝的时间为3～10min。

7.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(5)中氮气的分压维持在1～3×10^-3torr。

8.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：关闭铝靶材的电流前1～3min，需将铝靶材的电流密度控制在 5～15W/cm²，基板偏压调整在20～60Volt。

9.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：当氮化铝薄膜层的厚度为3～5μm时，关闭铝靶材的电流。

10.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(6)中溅镀金属导电层的步骤包括，将生成有氮化铝薄膜 的金属基材置入一真空腔内，抽真空至10^-5torr后，通入氩气维持在1～ 3×10^-3torr，启动基板负偏压在-300～-600Volt，此时启动溅镀铜靶材，控制溅 镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm²，进行镀铜，铜膜厚度控制为0.5～5μm。

11.根据权利要求10所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的 方法，其特征在于：步骤(6)中溅镀金属防护层的步骤包括，将溅镀有铜膜的金 属基材置入另一真空腔，通入氩气维持在1～3×10^-3torr，此时启动溅镀金靶材， 控制溅镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm²，进行镀金，金膜厚度控制为0.1～ 1μm。

12.根据权利要求10所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的 方法，其特征在于：步骤(6)中溅镀金属防护层的步骤包括，将溅镀有铜膜的金 属基材置入另一真空腔，通入氩气维持在1～3×10^-3torr，此时启动溅镀镍金靶 材，控制溅镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm²，镀上镍金薄膜，镍金薄膜的厚度 控制为0.1～1μm。